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单片机外部RAM扩展模块
下载该文档 文档格式:DOC 更新时间:2008-06-06 下载次数:0 点击次数:4
文档基本属性 文档语言: Simplified Chinese 文档格式: doc 文档作者: 伊凡 关键词: 主题: 备注: 点击这里显示更多文档属性 经理: 单位: sdu 分类: 创建时间: 上次保存者: 修订次数: 编辑时间: 文档创建者: 修订: 加密标识: 幻灯片: 段落数: 字节数: 备注: 演示格式: 上次保存时间:
单片机外部RAM扩展模块
MCS-51系列单片机外部RAM为64K,在一些特殊场合下,远不能满足需要,本文就AT89C51讨论MCS-51系列单片机大容量RAM的扩展方法.
首先介绍128K随机读取RAM HM628128.HM628128是32脚双列直插式128K静态随机读取RAM,它具有容量大,功耗低,价格便宜,集成度高,速度快,设计和使用方便等特点.如若在系统中加入掉电保护电路,保护数据有很高的可靠性,可以和EEPROM相媲美.
技术特性:
最大存取时间为120ns;
典型选通功耗75mW;典型未选通功耗10uW;
使用单一5V电源供电;
全静态存储器,不需要时钟及时序选通信号;
周期时间与存取时间相等;
采用三态输出电路,数据输入和输出端公用;
所有输入和输出引脚均与TTL电平直接兼容;
有两个片选端,适合于低功耗使用,即为了保存信息,用电池作为后备电源.保存信息的最低电源电压Vcc=2V.
引脚安排及功能表:
图6是HM628128的外部引脚排列图,各引脚名称及功用分别如下:
A0~A16是17条地址线;I/O0~I/O7是8条双向数据线;CS1是片选1,低电平有效,CS2是片选2,高电平有效;WR是写控制线,当CS1为低电平,CS2为高电平时,WR的上升沿将I/O0~I/O7上的数据写到A0~A16选中的存储单元中;OE是读出允许端,低电平有效.
HM628128的功能表如表3所示.
表3 HM628128功能表
WR
CS1
CS2
OE
工作方式
X
H
X
X
未选中
X
X
L
X
未选中
H
L
H
H
输出禁止
H
L
H
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