2007年硕士研究生入学考试
423"半导体物理"科目考试大纲
科目代码:423
参考书:(书名,作者,出版社,出版年份)
刘恩科等,"半导体物理学"国防工业出版社,1989
内容:
半导体的晶体结构和缺陷
常见半导体材料(Si,Ge和GaAs)的晶体结构和物理性质;半导体材料中的常见点,线,面缺陷.
半导体中的电子状态
布洛赫定理;空穴,电子速度,加速度和有效质量;满带与不满带的电子性质;表面存在对电子态的影响;常见半导体材料(Si,Ge和GaAs)能带结构的特点;电子回旋共振实验和回旋共振有效质量;施主和受主,补偿,深能级及其影响.
平衡载流子浓度
态密度有效质量;非简并掺杂半导体室温附近的载流子浓度;掺杂半导体载流子浓度与温度的关系;掺杂半导体费米能级与掺杂浓度和温度的关系;简并情况及其特点.
半导体的导电性
常见半导体材料中主要的载流子散射机构与掺杂浓度和温度的关系;电导率;迁移率;电导率有效质量;迁移率随温度和掺杂浓度的变化;霍尔效应.
非平衡载流子
确定常用半导体材料中过剩载流子寿命的主要复合机构;常用半导体材料中过剩载流子寿命与掺杂浓度及温度的关系;描述载流子运动的基本方程;准费米能级;爱因斯坦关系.
同质pn结
突变结,缓变结,接触电势差;空间耗尽层;理想pn结IV特性;正反偏置理想pn结能带图,载流子分布图;实际pn结,理想pn结IV特性的差别及原因;势垒电容;pn结击穿的主要机制.
MOS结构
Si-SiO2系统中主要电荷和电子态;表面电场效应;理想MOS的CV特性,功函数差;PMOS和NMOS在不同栅压下,表面的状态能带图和表面势条件;氧化层电荷;界面态对CV特性的影响;阈值电压.
金属-半导体接触和异质结
阻挡层与反阻挡层;表面态对金属-半导体接触的影响;肖特基整流接触的特点;金属-半导体欧姆接触;异质结的结构的能带图.
2006年11月2日