常德工业学校《电子技术基础》对口班应考复习资料___ __ 知识在于不断的积累、学习在于不断的创造。________________ 求学的三个条件：多观察、多吃苦、多研究___________________ _____ __ 资料整理：宋祥弟
第一章晶体二极管整流滤波电路
资料篇A-001
1、 填空题
1、物质按导电能力的强弱可分为_________ 、________ 和________ 三大类。
2、电子技术的核心是半导体，它的三个特性是：______ 、______ 、________
3、半导体中存在着两种载流子，其中带正电的载流子叫做________ ，带负电的________ ____ 载流子叫做________ ；N型半导体中多数载流子是________ ，P型半导体中 的多数载流子是_________ 。
4、PN结具有___ _____ 性能，即：加____ 电压时PN结导通，加____ 电压时___ PN结截止。
5、二极管的主要特性是具有_________ 。二极管外加正向电压超过死区电压以后，正向电流会_______ ，这时二极管处于_________ 状态。
6、晶体二极管的伏安特性可简单理解为正向_____ ，反向_____ 的特性。导通_____ 后，硅管的管压降约为_________ ，锗管约为________ 。
7、整流电路将交流电变为_____________ 直流电，滤波电路将________ 直流电变为_____________ 的直流电。
8、整流电路按整流相数，可分为________ 与________ 两种；按被整流后输出电压（或电流）的波形分，又可分为_________ 与________ 两种。
9、把脉动直流电变成比较平滑直流电的过程称为__________ 。
10、电容滤波电路中的电容具有对交流电的阻抗_____ ，对直流电的阻抗_____ 的特性，整流后的脉动直流电中的交流分量由电容______ ，只剩下直流分量加到负载的两端。
11、硅管的死区电压为_____ 伏，锗管的区死区电压为_____ 伏。
12、PN结中的内电场会阻止多数载流子的___________ 运动，促使少数载流子的________ 运动。
13、理想二极管正向导通时，其压降为______ V；反向截止时，其电流
为______ μA。
14、半导体中的总电流是______________ 与_____________ 的代数和。
15、在判别锗、硅二极管时，当测出正向压降为______ 时，将认为此二极管为锗二极管；当测出正向压降为______ 时，将认为此二极管为硅二极管。
16、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象被叫做____________________ 现象。
17、在单相桥式整流电路中，如果流过负载电阻RL的电流是2A，则流过每只二极管的电流是______ 。
18、在单相桥式整流电路中，如果电源变压器二次电源为120V，则每只二极管所承受的反向电压为_______ 。
19、在一块本征半导体两端加上电压，电子会向电源_______ 极移动形成电子电流。
20、二极管是由一个_______ 结加上两根金属引线经封装后构成的。
二、选择题
1、P型半导体中空穴多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为（___ ）。
__ A、正电_____________ B、负电____________ C、电中性
2、二极管的阳极电位是20V，阴极电位是10V，则该二极管处于（___ ）。
_ A、反偏______________ B、正偏____________ C、零偏
3、当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（____ ）。
_ A、多数载流子_____ B、少数载流子___
C、既有多数载流子又有少数载流子
4、如果二极管的正、反向电阻都很小，则该二极管（_____ ）。_____________
_ A、正常___________ B、已被击穿_____ C、内部断路
5、在单相半波整流电路中，如果负载电流为20A，则流经整流二极管的电流为（_____ ）。
_ A、9A____________ B、10A__________ C、20A