三极管单元测试题
一,单选题(每题2分)
1. 关于三极管反向击穿电压的关系,下列正确的是( ).
A. B.
C. D.
2. 某三极管的,则下列状态下三极管能正常工作的是( ).
A. B.
C. D.
3. 放大电路如图所示,已知硅三极管的,则该电路中三极管的工作状态为( ).
A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定
4. ( )具有不同的低频小信号电路模型.
A. NPN管和PNP管 B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管
C. N沟道场效应管和P沟道场效应管 D. 三极管和二极管
5. ( )情况下,可以用H参数小信号模型分析放大电路.
A. 正弦小信号 B. 低频大信号 C. 低频小信号 D. 高频小信号
6. 硅三极管放大电路中,静态时测得集-射极之间直流电压UCE=0.3V,则此时三极管工作于( ) 状态.
A. 饱和 B. 截止 C. 放大 D. 无法确定
7. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示,则此场效应管的类型是( ).
A. 增强型PMOS B. 增强型NMOS C. 耗尽型PMOS D. 耗尽型NMOS
8. 下面的电路符号代表( )管.
A. 耗尽型PMOS B. 耗尽型NMOS
C. 增强型PMOS D. 增强型NMOS
9. 在三极管放大电路中,下列等式不正确的是( ).
A. B. C. D.
10. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于( )状态.
A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定
二,判断题(每题2分)
1. 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏,以保证场效应管的输入电阻很大.
2. 双极型三极管由两个PN结构成,因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管.
3. 场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同.
4. 三极管工作在放大区时,若iB为常数,则uCE增大时,iC几乎不变,故当三极管工作在放大区时可视为一电流源.
5. 对三极管电路进行直流分析时,可将三极管用H参数小信号模型替代.
6. 三极管的C,E两个区所用半导体材料相同,因此,可将三极管的C,E两个电极互换使用.
7. 开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数.
8. IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流.
9. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移,且间距随温度升高而减小.
10. 三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路,交流分析时可视为开路.
三,填空题(每题2分)
1. 场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件.
2. 双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种,它们的符号分别_______和
3. 当ugs=0时,漏源间存在导电沟道的称为 型场效应管;漏源间不存在导电沟道的称为 型场效应管.

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