B.论文要求,所有论文必须要有本系指导教授挂名其上才以计点.
(a) 论文发表除资格考试抵免之期刊论文外,必须符合下列两者之一:
(1)直接相关之国际权威期刊论文至少两篇.
(2)直接相关之国际权威期刊论文至少一篇及学术会议论文至少两篇其中至少一篇为国际学术会议论文.
(b)国际权威期刊:
如 IEEE Proc., Journal, Trans., Letters 中与论文有直接关连者,或与 IEEE 相当或更高水准之其他期刊.
(c)学术会议:
具有完整审查制度,并刊印有论文集之国际一流学术会议者.
(d)论文须已刊登或无条件接受刊登者方得列入计算,「两篇或多篇论文重叠者,以一篇计算」.有下列情况之ㄧ者,不列入计点:
(1)在博士班内发表之不相关研究成果者.
(2)非以本系所为成果所属机构者.(注:微电子所及电通所均需包含该所及电机系)
(3)第一作者之所属机构未注明为成功大学电机系者.
(e)发表著作之作者,除该博士班研究生与指导教授外,如另有其他作者,应说明其在该一著作内之贡献 .又每篇著作仅能供作一位研究生之申请参考,且该研究生之排名应位在指导教授外前二名中.
(f)毕业时必须至少有一篇期刊论文排名在所有作者群中第一位,(除一位本系指导教授之外,至多两位).
(g)未满(含)三年申请毕业者需经学术委员会议,以无记名投票方式,由出席委员投票决定之,投票以一次为限,逾三分之二(含)以上评定为通过及格者方为通过,否则以不通过论.
C.论文口试:
(a)成绩以 100 分为满分, 70 分为及格,论文成绩以各委员评定之平均分数决定之.
(b)论文考试成绩以出席委员投票之平均分数决定之,投票以一次为限,逾三分之二(含)以上评定为及格者方为及格,否则以不及格论.
(c)考试委员不得委托其他委员或非委员代表.
6.各组得另订博士班毕业申请准则(如附件),但需经学术委员会提系务会议通过方能实施,如与本规则抵触者以本规则为准.
7.本规则经系务会议通过后实施,本规则适用於通过日之后入学之学生,通过日之前入学之学生得选择修正前或修正后之规则办理.
8.学术委员会若对申请者有疑义时,得视情况投票,投票方式同5Bg.
9.资格考科目如下:
A.微电子所:
(1)Electronic Materials and Thermodynamics(电子材料及热力学)
(2)Semiconductor Transport Phenomenon (半导体传输现象)
(3)Compound Semiconductor Engineering (化合物半导体工程)
(4)Integrated Optics (积体光学)
(5)Quantum Electronics (量子力学)
(6)ULSI Technology (极大型积体电路工程)
(7)Analog and Digital Integrated Circuit Design(线性及数位积体电路设计)
(8)Advanced Electromagnetic (高等电磁学)
(9)Integrated Circuit Reliability(积体电路之可靠性)
(10)ULSI Process Integration(极大型积体电路制程整合)
(11)Physics of ULSI Devices (极大型积体电路元件物理)
(12)Semiconductor Lasers(半导体雷射)
(13)High Speed Devices(高速元件)
(14)Negative-Differential Resistance Switching Devices(负微分电阻交换元件)
(15)Physics of Semiconductor Devices(半导体元件物理)
(16)Electronic Packaging Technology(电子构装技术)
B.电脑与通信工程研究所:

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