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  • CVD生长SiC涂层工艺过程的正交分析研究

    免费下载 下载该文档 文档格式：DOC   更新时间：2012-03-16   下载次数：0   点击次数：1

    一般应尽可能采用所允许的最高气流速度，以抑制气相形核。在富H的反应环境中，Ar气在很大程度上抑制了游离[Si]的生成，因此通过调整H：Ar能较好地控制涂层结构中游离Si的产生。 2．3．3表面处理的影响

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