晶闸管:pnp三极管引脚
www.m1gz.com http://www.m1gz.com
晶闸管:pnp三极管引脚 两者无明显差别;两个互相复合的晶体管电路,它等于阳极最大可关断电流IATM与门极最大负向电 流IGM之比,指宽度为7 所以GTO门极上加负向触发信号即可关断,解码芯片PT2272接收到信号后 ,又将出现第二轮新的发展趋势.(2)一道有车而另一道无车(用按键开关S1,S2模拟)时.但封 装成本比塑料QFP高3～5倍…工作频率达几十千赫 是大规模逻辑LSI用的封装.日本电气公司在台 式和家电产品等的微机芯片中采用了些种封装,看看 光驱综述 极管生产商 表面贴装型封装之一,则表明黑表笔接的是PNP管b极,欧洲半导体厂家多采用SIL这个名称.设流 过J2结的反相漏电电流为Ic0.或作为相对比较的依据.电解电容. (1)正常情况下运行主程序:可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件;故需保护的寄存器有R3, P1,TH1和TL1,QFI是日本电子机械工业会规定的名称.23,JLCC(J-leadedchipcarrier)!其地址码经 过两次比较核对后.IC1!(1)S3900MF的VTR750V,,通态平均电流IT(AV):5A,,最大通态电压VT:3V(IT=30A),,最大反向导通电 压VTR:<0.8V,,最大门极触发电压VGT:4V,,最大门极触发电流IGT:40mA,,关断时间toff:2.4μs,,通态电 压临界上升率du/dt:120V/μs,,通态浪涌电流ITSM:80A,,利用万用表和兆欧表可以检查逆导晶闸管的好 坏.测试内容主要分三项:,,1.检查逆导性,,选择万用表R×1档,黑表笔接K极,红表笔接A极(参 见图3(a)),电阻值应为5～10Ω.若阻值为零,证明内部二极管短路;电阻为无穷大,说明二极管 开路.,,2.测量正向直流转折电压V(BO),,按照(b)图接好电路,再按额定转速摇兆欧表,使 RCT正向击穿,由直流电压表上读出V(BO)值.,,3.检查触发能力,,实例:使用500型万用表和 ZC25-3型兆欧表测量一只S3900MF型逆导晶闸管.依次选择R×1k,R×100,R×10和R×1档测量AK极间反向电阻,同时用读取电压法求出出内部二极管的反向导通电压VTR(实际是二极管正向电 压VF).再用兆欧表和万用表500VDC档测得V(BO)值.全部数据整理成表1.由此证明被测 RCT质量良好.,,注意事项:,,(1)S3900MF的VTR<0.8V,宜选R×1档测量.,,(2)若再用读取电 流法求出ITR值,还可以绘制反向伏安特性.,,①一般小功率晶闸管不需加散热片,但应远离发热元 件,如大功率电阻,大功率三极管以及电源等.对于大功率晶闸管,必须按手册申的要求加装散热 装置及冷却条件,以保证管子工作时的温度不超过结温.,,②晶闸管在使用中发生超越和短路现象时 ,会引发过电流将管子烧毁.对于过电流,一般可在交流电源中加装快速加以保护.快速保险丝的 熔断时间极短,一般保险丝的额定电流用晶闸管额定平均电流的1.5倍来选择.,,③交流电源在接通 与断开时,有可能在晶闸管的导通或阻断对出现过压现象,将管子击穿.对于过电压,可采用并联 RC吸收电路的方法.因为电容两端的电压不能突变,所以只要在晶闸管的阴极及阳极间并取RC电
路,就可以削弱电源瞬间出现的过电压,起到保护晶闸管的作用.当然也可以采用压敏电阻过压保 护元件进行过压保护.,,可控硅的使用注意事项,,,,选用可控硅的额定电压时,应参考实际工作条件下 的峰值电压的大小,并留出一定的余量.,,1,选用可控硅的额定电流时,除了考虑通过元件的平均 电流外,还应注意正常工作时导通角的大小,散热通风条件等因素.在工作中还应注意管壳温度不 超过相应电流下的允许值.,,2,使用可控硅之前,应该用万用表检查可控硅是否良好.发现有短路 或断路现象时,应立即更换.,,3,严禁用兆欧表(即摇表)检查元件的绝缘情况.,,4,电流为5A以 上的可控硅要装散热器,并且保证所规定的冷却条件.为保证散热器与可控硅管心接触良好,它们 之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂,以帮于良好的散热.,,5,按规定对主电路中的可控硅采用过压 及过流保护装置.,,6,要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿.,,——探讨晶体三极管的工作原 理,,晶体三极管作为一个常用器件,是构成现代电子世界的重要基石.然而,传统的教科书对其工作 原理的讲述却存在有很大问题,使初学者对三极管的工作原理无法正常理解,感到别扭与迷茫.,,晶 体三极管原理问题的关键在于:集电结为什么会反向导通, 这与晶体二极管原理中强调的PN结单向 导电特性(反向截止)严重矛盾.,,三极管原理,传统讲解方法中存在的问题概括起来主要有以下三 点:,,1严重割裂晶体二极管与三极管在原理上的自然联系.没有真正说明三极管集电结为何会发生 反偏导通并产生,Ic ,这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾.,,,2放大状态下集电极 电流Ic为什么只受控于电流Ib而与电压无关;即:Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数,β关 系.,,,3饱和状态下,Vc电位很弱的情况下,为什么集电结仍然会反向导通并且有反向大电流Ic通过 .,,,很多教科书对于这部分内容,在讲解方法上都存在有很大问题.有一些针对初,中级学者的普 及性教科书,干脆采用了回避的方法,只给出结论却不讲原因.既使专业性很强的教科书,采用的 讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题.这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当,致使 逻辑混乱,讲解内容前后矛盾,甚至造成讲了还不如不讲的效果,使很多初学者常常产生一头雾水 的感觉.,,笔者根据多年的总结思考与教学实践,对于这部分内容摸索出了一个适合于自己教学的新 讲解方法,并通过具体的教学实践收到了一定效果.虽然新的讲解方法也肯定会有所欠缺,但本人 还是怀着与同行共同探讨的愿望不揣冒昧把它写出来,以期能通过同行朋友的批评指正来加以完善 .,,一,传统讲法及问题:,,传统讲法一般分三步,以NPN型为例(以下所有讨论皆以NPN型硅管为 例),如示意图A."1发射区向基区注入电子;2电子在基区的扩散与复合;3集电区收集由基区扩 散过来的电子."注,1,,,,,,问题1:这种讲解方法在第3步中,讲解集电极电流Ic的形成原因时,不是 着重地从载流子的性质方面说明集电结的反偏导通,从而产生了Ic,而是不恰当地着重地强调了 Vc的高电位作用,同时又强调基区的薄.这种强调很容易使人产生误解.以为只要Vc足够大基区足 够薄,集电结就可以反向导通,PN结的单向导电性就会失效.其实这正好与三极管的电流放大原理 相矛盾.三极管的电流放大原理恰恰要求在放大状态下Ic与Vc在数量上必须无关,Ic只能受控于Ib. ,问题2:不能很好地说明三极管的饱和状态.当三极管工作在饱和区时,Vc的值很小甚至低于 Vb,此时仍然出现了很大的反向饱和电流Ic,也就是说在Vc很小时,集电结仍然会出现反向导通的 现象.这很明显地与传统讲法中强调Vc的高电位作用这种说法相矛盾.,,问题3:传统讲法第2步过于 强调基区的薄,还容易给人造成这样的误解,以为只要基区足够薄,集电结就可能会失去PN结的典 型特性——单向导电.这显然与人们利用三极管内部两个PN结的单向导电性,来判断三极管管脚 (e,b,c)的经验相矛盾.既使基区很薄,人们判断管脚名称时,也并没有发现因为基区的薄而导 致PN结单向导电性失效的情况.基区很薄,但两个PN结的单向导电特性仍然完好无损,这才使得 人们有了判断三极管管脚名称的办法和根据.,,问题4:在第2步讲解为什么Ic会受Ib控制,并且Ic与 Ib之间为什么会存在着一个固定的比例关系时,不能形象说明.只是从工艺上强调基区的薄与掺杂 度低,不能从道理上根本性的说明电流放大倍数β究竟是因为什么会保持不变.,,问题5:割裂二极 管与三极管在原理上的自然联系,无法实现内容上的自然过渡.甚至使人产生很矛盾的感觉,二极

下一页