集成微电子器件

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□ 多数载流子电流(n型)的简化: 必须区分在TE( ε 0 )的内部电场和总的平衡时( ε )的外部总电场. 在平衡时:
非平衡时:
因此:
2002 秋季
6.720J/3.43J 集成微电子器件
Prof. J. A. del Alamo
对低电场,
□ 对1D多数载流子类型情况的方程组:
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□ 均匀掺杂的集成电阻(n型)
2002 秋季
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均匀掺杂
ε0
0 ,那么:
如果 ε 不太高,
I-V特性:
通常(低和高的电场):
对高电场饱和到:
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2. 少数载流子类型情况
情况由以下表征: 通过TE时的过剩载流子
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' 没有施加外部电场(但通过载流子注入产生小的内部电场: ε 0 + ε )
例子:通过npn BJT基极的电子传输. 两个近似: 1. ε 小薜 υ
drift
ε
对n型:
2.低水平注入
n ; n0 p ; p0
p' U; τ
可忽略的少数载流子漂移由于 ε (但不能说对多数载流子有相同情况)
'
对1D准中性情况的Shockley方程

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