HHBY
THB6128
高细分两相混合式步进电机驱动芯片
THB6128
一, 特性:
● ● ● ● ● ● 双全桥 MOSFET 驱动,低导通电阻 Ron=0.55Ω 最高耐压 36VDC,大电流 2.2A(峰值) 多种细分可选(1,1/2,1/4,1/8,1/16,1/32,1/64,1/128) 自动半流锁定功能 快衰,慢衰,混合式衰减三种衰减方式可选 内置温度保护及过流保护
二,
管脚图:
北京博远鼎盛电子科技有限公司
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2009 年 03 月
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三, 管脚说明:
端子 No 17 14,23 20 18 15 11 28 27 26 13 10 9 12 7 6 3 4 25 24 5 21 22 19 16 30 1 2 29 端子符号 DOWN SGND OSC1 FDT VREF VMB M1 M2 M3 OUT2B NFB OUT1B PGNDB OUT2A NFA OUT1A PGNDA ENABLE RESET VMA CLK CW/CCW OSC2 MO VREG1 VREG2 VM ST/VCC 端子说明 通电锁定时输出端 信号地 斩波频率设定电容连接端 衰减模式选择电压输入端 电流设定端 B相 电机电源连接端 细分设置端 细分设置端 细分设置端 B相 OUTB 输出端 B 相 电流检测电阻连接端 B 相 OUTB 输出端 B相 功率地 A 相 OUTA 输出端 A 相 电流检测电阻连接端 A 相 OUTA 输出端 A相 功率地 脱机信号控制端 复位信号输入端 A 相 电机电源连接端 脉冲信号输入端 正/反转信号输入端
THB6128
通电锁定检出时间设定电容连接端 位置检出 Monitor 端 内部稳压器用电容连接端 内部稳压器用电容连接端 电机电源连接端 待机控制端
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2009 年 03 月
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四, 电器参数:
1, 最高额定值 Absolute Maximum Ratings (Ta 25°C)
项目 最高电源电压 最大输出电流 最高逻辑输入电压 VREF 最高输入电压 工作环境温度 保存环境温度 符号 VMmax Iomax VINmax VREFmax Topg Tstg 额定值
THB6128
符号 36 2.2 6 3 V A V V ℃ ℃
-20～+85 -55～+150
2, 正常运行参数范围 Operating Range (Ta 30 to 85°C)
参数 逻辑输入电压 电源电压 输出电流 电流设定端 符号 VIN VM Io VREF 最小 4.5 9 0 典型. 5.0 最大 6 36 2 3 单位 V V A V
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2009 年 03 月
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项目 待机时消耗电流 消耗电流 TSD 温度 Thermal Hysteresis 值 逻辑端子输入电流 逻辑输入"H"Level 电压 逻辑输入"L"Level 电压 FDT 端子"H"Level 电压 FDT 端子"M"Level 电压 FDT 端子"L"Level 电压 斩波频率 OSC1 端子充放电电流 斩波振荡电路 电压阈值 VREF 端子输入电流 DOWN 输出残电压 MO 端子残电压 通电锁定切换频率 OSC2 端子充放电电流 通电锁定切换振荡电路 电压阈值 REG1 输出电压 REG2 输出电压 Blanking 时间 输出 输出 ON 阻抗 输出漏电流 二极管正向压降 电流设定基准电压 输出短路保护 Timer Latch 时间 Tscp Ronu Rond Ioleak VD VRF Io=2.0A,上侧 ON 阻抗 Io=2.0A,下侧 ON 阻抗 VM=36V ID=-2.0A VREF=1.5V,电流比 100% 符号 IMstn IM TSD ΔTSD IinL1 IinH1 Vinh Vinl Vfdth Vfdtm Vfdtl Fch Iosc1 Vtup1 Vtdown1 Iref VolDO VolMO Falert Iosc2 Vtup2 Vtdown2 Vreg1 Vreg2 Tbl VREF=1.5V Idown=1mA Imo=1mA Cosc2=1500pF Cosc1=100pF VIN=0.8V VIN=5V 条件 ST="L"

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