惠州 MOS-1 型功率场效应管测试仪
(图示)
一,概述 MOS-1 型功率场效应管测试仪,是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装 置,可用于标称电流约在 2-100A,功率在 300W 以内的 N 沟导和 P 沟导功率场效应管主要 参数的测试.它可以准确测量击穿电压 VDSS,栅极开启电压 VGS(th)和放大特性参数跨 导 Gfs,尤其是跨导 Gfs 的测试电流可以达到 50A,由于采用脉冲电流测试法,即使在大电 流测试时也不会对被测器件造成任何损坏, 更可以在大电流状态下对场效应管进行参数一致 性的测试(配对);仪器完全可用于同等电流等级的 IGBT 参数的测量;仪器还是一台性能 十分优越的电子元器件耐压测试装置,其测试耐压时的漏电流有 1mA,250uA,25uA 三挡 可以选择.仪器主要用于功率场效应管和 IGBT 的质量检验,参数的配对及其它电子元器件 的耐压测试之用.仪器分 N 沟导型测试仪和 P 沟导型测试仪两种.仪器外型美观,性能稳 定,测量准确,操作简单,使用安全方便.
二,主要技术性能 1,击穿电压 VDSS 测量范围: 0—1999V, 精度:≤2.5% . 2,IDSS 可分三挡选择: 1mA,250uA,25uA . 3,栅极开启电压 VGS(th) 测量范围: 0—10V. 精度:≤5% .
4,Gfs 跨导测试电流 Idm:不小于 1—50 A 连续可调, 精度:≤10 % . 5,Gfs 跨导测试范围:1—100
三,主要测试功能 1,功率场效应管的击穿电压 VDSS,栅极开启电压 VGS(th),跨导 Gfs 的测试. 2,IGBT 的击穿电压 V(BR)ces,栅极开启电压 VGE(th),跨导 Gfs 的测试. 3,功率场效应管和 IGBT 在 50A 以下的任意电流状态下一致性的测试,可用于配对. 4,对其它更大电流和功率的场效应管及 IGBT 的测试:(见下面介绍). 5,各类晶体三极管,二极管,稳压管击穿电压的测试. 6,压敏电阻电压的测试等.
四,测试盒与测试线 1, 利用测试盒可以方便的测试 TO-126, TO-220, TOP-3 等类似封装的功率场效应管和 IGBT. 2,利用测试线可以测量其它金属类,模块类等封装形式的功率场效应管和 IGBT.
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