• 单晶炉操作工工作小结 > 从安全工作区探讨 IGBT 的失效机理
  • 从安全工作区探讨 IGBT 的失效机理

    免费下载 下载该文档 文档格式:PDF   更新时间:2011-10-21   下载次数:0   点击次数:1

    重掺杂 P+单晶片本身缺陷就较多,而外延生长过程中又要引进大量的层、位错外延缺陷。所以 PT-IGBT在高压(强电场)大电流下工作,强散射区较多,容易产生热点,在较低能...

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