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从安全工作区探讨 IGBT 的失效机理
下载该文档 文档格式:PDF 更新时间:2011-10-21 下载次数:0 点击次数:1
重掺杂 P+单晶片本身缺陷就较多,而外延生长过程中又要引进大量的层、位错外延缺陷。所以 PT-IGBT在高压(强电场)大电流下工作,强散射区较多,容易产生热点,在较低能...
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