2004.01 1/5 R 3DD209L 低频放大管壳额定的双极型晶体管 D209L 产品特性 高耐压 高电流容量 高开关速度 高可靠性 主要用途 高频开关电源 电子镇流器 高频功率变换 一般功率放大电路 引线端序号及等效电路图 概述 3DD209L 是NPN 双极型大功率晶体管,制造中采用 的主要工艺技术有:高压平面工艺技术、三重扩散技 术等,并且采取了能够最大限度的兼顾电流容量与耐 电冲击性的发射区网格的横向设计. 绝对最大额定值(Tc=25℃) 项目符号数值单位集电极—基极直流电压 VCBO 700 V 集电极—发射极直流电压 VCEO 400 V 发射极—基极直流电压 VEBO 9 V 最大集电极直流电流(DC) Ic 12 A 最大集电极脉冲电流 (pulse) Icp 24 A 最大基极直流电流 IB 6 A 最大集电极耗散功率 Pc 120 W 最高结温 Tj 150 ℃ 贮存温度 Tstg -55~+150 ℃ 2004.01 2/5 D209L 电特性 (Tc=25℃) 热特性 项目符号最小值 最大值 单位 结到管壳的热阻 Rth(j-c) 1.05 ℃/W 项目符号测试条件 最小值 最大值 单位 集电极—发射极维持电压 VCEO(SUS) Ic=10mA,IB=0 400 V 集电极—基极击穿电压 V(BR)CBO Ic=1mA,IB=0 700 V 发射极—基极击穿电压 V(BR)EBO IE=1mA,Ic=0 9 V 集电极—基极反向漏电流 ICBO VCB=700V, IE=0 100 μA 集电极—发射极反向漏电流 ICEO VCE=400V,IB=0 50 μA 发射极—基极反向漏电流 IEBO VEB=7V, IC=0 10 μA hFE(1) VCE=5V, IC=5A 8 40 直流电流增益 hFE(2) VCE=5V, IC=8A 5 VCE(sat)(1) IC=5A, IB=1A 1.2 V 集电极—发射极饱和压降 VCE(sat)(2) IC=8A, IB=1.6A 1.6 V 基极—发射极饱和压降 VBE(sat) IC=8A, IB=1.6A 1.6 V 下降时间 tf VCC=24V IC=5A, IB1=-IB2=1A 0.7 μS 贮存时间 ts VCC=24V IC=5A, IB1=-IB2=1A 3 μS 特征频率 fT VCE=10V, Ic=0.5A 4 - MHz 2004.01 3/5 D209L 特征曲线 2004.01 4/5 D209L 产品外型尺寸 单位:mm 2004.01 5/5 D209L 注意事项1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理,无论哪种方式, 订货时请与公司核实. 2. 购买时请认清公司商标,如有疑问请与公司本部联系. 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值,否则会影响整机的可靠性. 4. 如需要安装散热片时,请将器件安装在平整的散热片上. 5. 为了生产出与用户需求相匹配的产品,当有其他要求或建议时请以传真或电 话的方式与公司本部联系. 6. 本说明书如有版本变更不另外告知. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址:吉林省吉林市深圳街 99 号,邮编:132013 总机:86-432-4678411 传真: (0432)4665812 网址:www.hwdz.com.cn 市场营销部 吉林: 地址:吉林省吉林市深圳街 99 号 电话: (0432)4675588 4675688 (0432)4678411-3098\3099 传真: (0432)4671533
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2004.01 1/5 R 3DD209L 低频放大管壳额定的双极型晶体管 D209L 产品特性 高耐压 高电流容量 高开关速度 高可靠性 主要用途 高频开关电源 电子镇流器 高频功率变换 一般功率放大电路 引线端序号及等效电路图 概述 3DD209L 是NPN 双极型大功率晶体管,制造中采用 的主要工艺技术有:高压平面工艺技术、三重扩散技 术等,并且采取了能够最大限度的兼顾电流容量与耐 电冲击性的发射区网格的横向设计. 绝对最大额定值(Tc=25℃) 项目符号数值单位集电极—基极直流电压 VCBO 700 V 集电极—发射极直流电压 VCEO 400 V 发射极—基极直流电压 VEBO 9 V 最大集电极直流电流(DC) Ic 12 A 最大集电极脉冲电流 (pulse) Icp 24 A 最大基极直流电流 IB 6 A 最大集电极耗散功率 Pc 120 W 最高结温 Tj 150 ℃ 贮存温度 Tstg -55~+150 ℃ 2004.01 2/5 D209L 电特性 (Tc=25℃) 热特性 项目符号最小值 最大值 单位 结到管壳的热阻 Rth(j-c) 1.05 ℃/W 项目符号测试条件 最小值 最大值 单位 集电极—发射极维持电压 VCEO(SUS) Ic=10mA,IB=0 400 V 集电极—基极击穿电压 V(BR)CBO Ic=1mA,IB=0 700 V 发射极—基极击穿电压 V(BR)EBO IE=1mA,Ic=0 9 V 集电极—基极反向漏电流 ICBO VCB=700V, IE=0 100 μA 集电极—发射极反向漏电流 ICEO VCE=400V,IB=0 50 μA 发射极—基极反向漏电流 IEBO VEB=7V, IC=0 10 μA hFE(1) VCE=5V, IC=5A 8 40 直流电流增益 hFE(2) VCE=5V, IC=8A 5 VCE(sat)(1) IC=5A, IB=1A 1.2 V 集电极—发射极饱和压降 VCE(sat)(2) IC=8A, IB=1.6A 1.6 V 基极—发射极饱和压降 VBE(sat) IC=8A, IB=1.6A 1.6 V 下降时间 tf VCC=24V IC=5A, IB1=-IB2=1A 0.7 μS 贮存时间 ts VCC=24V IC=5A, IB1=-IB2=1A 3 μS 特征频率 fT VCE=10V, Ic=0.5A 4 - MHz 2004.01 3/5 D209L 特征曲线 2004.01 4/5 D209L 产品外型尺寸 单位:mm 2004.01 5/5 D209L 注意事项1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理,无论哪种方式, 订货时请与公司核实. 2. 购买时请认清公司商标,如有疑问请与公司本部联系. 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值,否则会影响整机的可靠性. 4. 如需要安装散热片时,请将器件安装在平整的散热片上. 5. 为了生产出与用户需求相匹配的产品,当有其他要求或建议时请以传真或电 话的方式与公司本部联系. 6. 本说明书如有版本变更不另外告知. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址:吉林省吉林市深圳街 99 号,邮编:132013 总机:86-432-4678411 传真: (0432)4665812 网址:www.hwdz.com.cn 市场营销部 吉林: 地址:吉林省吉林市深圳街 99 号 电话: (0432)4675588 4675688 (0432)4678411-3098\3099 传真: (0432)4671533