液晶显示模块使用手册 型号:SYB12864K-ZK 版本: 1.0 LCM 选配说明常温( 0~+50℃) 宽温(-20~+70℃) 超宽温(-30~+80℃) 液晶片 LCD 黄绿模 蓝模 灰模 黑白模 背光BackLight LED 白光 LED 翡翠绿光 LED 蓝光 E L 白光 EL 蓝光 CCFL 负压 电路 模块板载负压 不带负压 EL 逆变器 外挂 板载 不配备 CCFL 逆变 配备 不配备 深圳市三元晶 液晶显示科技有限公司 电话:0755-2789 2739 传真:0755-2789 7479 网址:WWW.LCMLCD.COM 地址:深圳市宝安39区海乐路58-60号503 联系人:郑勇斌 E-mail:@126.com Display Format 128X64 DOTS Driving Method 1/32 Duty 1/6 Bias A: A: LCD PANEL LED+ LED- ST7920 COM32 VSS VDD RS R/W E DB0 DB7 PSB LED BACKLIGHT SEG96 SEG96 DB0 DB0 DB0 DB0 DB0 DB0 DB0 VOUT RES ST7921 ST7921 SEG64 1 4 5 128 X 64 0.52 X 0.52 0.48 X 0.48 80.0 (With B/L) 72.0 X 40.0 93.0 X 70.0 X 12 Data bus [0~7]. There state I/O common terminal. Power positive (+5V+10%). System reset low active. No Connect (Negative voltage Supply for LCD) Enable trigger. (Serial Clock) H:Data L:Instruction Code (Serial Chip Select) Power ground 2 ITEM SPECFICATION UNIT 3 SYMBOL ITEM DESCRIPTION H:Read L:Write (Serial Data) H: Parallel mode L: Serial mode (Have Done in Board) No Connect (Negative voltage Output) BACKLIGHT ANODE(+5V) . BACKLIGHT CATHODE (0V). No Connect SYB12864K-ZK PARAMETER SYMBOL MAX. MIN. UNIT SUPPLY VOLTAGE LOGIC SUPPLY VOLTAGE DRIVER INPUT VOLTAGE VDD 0 5.5 V V0-GND 0 15 V VIN 0 VDD V SYB12864K 2 功能说明 功能说明 功能说明 功能说明 ST7920 系统介面 系统介面 系统介面 系统介面 ST7920提供?种介面来连接微处理机:8-位元汇流排,4-位元汇流排及串列汇流排介面,经由外部PSB脚来选择介面的 种类,当PSB脚接"1"时为选择8/4-位元介面模式,而当接"0"时为串列介面模式. 在读或是写ST7920的动作?,有两个8-位元的暂存器将會被使用到,?个是资料暂存器(DR)另?个是指令暂存器 (IR).透过资料暂存器(DR)可以存取DDRAM/CGRAM/GDRAM以及IRAM的值,待存取目标RAM的位址,透过指 令命令来选择,每次的资料暂存器(DR)存取动作都将自动的以?回选择的目标RAM位址当主体来作写入或读取. 配合RS及RW可以选择决定控制介面的4种读写模式,详见?表: RS RW 功功功功能能能能说说说说明明明明LLMPU写指令到指令暂存器(IR) L H 读出忙碌旗标(BF)及位址计数器(AC)的状态 H L MPU写入资料到资料暂存器(DR) H H MPU从资料暂存器(DR)?读出资料 忙碌旗标( 忙碌旗标( 忙碌旗标( 忙碌旗标(BF) ) ) ) 当BF为"1"时,表示内部的操作正在进行?,亦即是内部处於忙碌状态,此时并不接受新的指令动作,要输入新的指 令前,必须先读取BF旗标,?直要到BF旗标读取"0"时,才能接受输入新的指令;?般而言任何的指令输入后ST7920 内部都需要时间处置,在处置完成前并不接受??个指令,而每?个指令的处置时间并不相同,所以要知道ST7920内 部是否已处置完成,可以接受??指令可以由读取BF旗标来确认. 位址计数器( 位址计数器( 位址计数器( 位址计数器(AC) ) ) ) 位址计数器(AC)用来储存DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM之?的位址,它可藉由设定指令暂存器(IR)来改变,之 后只要读取或是写入DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM的值时,位址计数器(AC)的值就會自动加?,当RS为"0"时而RW为"1"时,位址计数器(AC)的值會被读取到DB6?DB0?. ?文字型产生 ?文字型产生 ?文字型产生 ?文字型产生 ROM (CGROM)及半宽字型 及半宽字型 及半宽字型 及半宽字型ROM( ( ( (HCGROM) ) ) ) ST7920 字型产生 ROM 提供 8192 个16 x 16 点的?文字形图像以及 126 个16 x 8 点的数字符号图像,它使用两个 位元组来提供字型编码选择,配合 DDRAM 将要显示的字型码写入到 DDRAM ?,硬体将自动的依照编码从 CGROM ?将要显示的字型显示在萤幕?. 字型产生 字型产生 字型产生 字型产生 RAM (CGRAM) ST7920 字型产生 RAM 提供使用者图像定义(造字)功能,可以提供?组16x16 点的自订图像空间,使用者可以将内 部字型没有提供的图像字型自行定义到 CGRAM ?,便可和 CGRAM ?的定义?般的透过 DDRAM 显示在萤幕?. ICON RAM( ( ( (IRAM) ) ) ) ST7920 提供 240 点的 ICON 显示,它分别由 15 组的 IRAM 位址来组成,每?组IRAM 位址由 16 个位元构成,每次写 入?组IRAM 时,需先指定 IRAM 的位址,再透过连续写入两个位元组的资料来完成,先写入高位元组(D15?D8)再 写入低位元组(D7?D0). SYB12864K 3 Table 4 显示资料 显示资料 显示资料 显示资料 RAM( ( ( (DDRAM) ) ) ) 显示资料 RAM 提供 64x2 个位元组的空间,最多可以控制 4 行16 字(64 个字) 的?文字型显示,当写入显示资料 RAM 时,可以分别显示 CGROM,HCGROM 与CGRAM 的字型;ST7920 可以显示?种字型,分别是半宽的 HCGROM 字型、CGRAM 字型及?文CGROM 字型,?种字型的选择,由在 DDRAM ?写入的编码选择,在0000H?0006H 的编 码?将选择 CGRAM 的自定字型,02H?7FH 的编码?将选择半宽英数字的字型,至於 A1 以?的编码将自动的结合? ?个位元组,组成两个位元组的编码达成?文字型的编码 BIG5(A140?D75F) GB(A1A0?F7FF),详细各种字型编 码如?: 1. 显示半宽字型:将8位元资料写入 DDRAM ?,範围为 02H?7FH 的编码. 2. 显示 CGRAM 字型:将16 位元资料写入 DDRAM ?,总共有 0000H,0002H,0004H, 0006H ?种编码. 3. 显示?文字形:将16 位元资料写入 DDRAM ? 範围为 A140H?D75FH 的编码(BIG5) , 範围为 A1A0H?F7FFH 的编码(GB). 将16 位元资料写入 DDRAM 方式为透过连续写入两个位元组的资料来完成,先写入高位元组(D15?D8)再写入低位 元组(D7?D0). 参照 Table 5 显示 CGRAM 的位址、DDRAM 资料以及显示图像的关系. CGRAM 字型与?文字形之编码只可出现在每? Address conuter 的启始位置(参考 Table 4) 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8B 8C 8D 8E 8F H L H L H L H L H L H L H L H L H L H L H L H L H L H L H L H L S i t r o n i x S T 7 9 2 0 矽矽矽矽创创创创电电电电子子子子..????文文文文编编编编码码码码(正正正正确确确确)矽矽矽矽创创创创电电电电子子子子...????文文文文编编编编码码码码错误填入?文码位置 SYB12864K 4 绘图 绘图 绘图 绘图 RAM( ( ( (GDRAM) ) ) ) 绘图显示 RAM 提供 64x32 个位元组的记忆空间(由扩充指令设定绘图 RAM 位址) , 最多可以控制 256x64 点的?维绘图 缓冲空间,在更改绘图 RAM 时,由扩充指令设定 GDRAM 位址先设垂直位址再设水平位址(连续写入两个位元组的资料 来完成垂直与水平的座标位址),再写入两个 8 位元的资料到绘图 RAM,而位址计数器(AC)會自动加?,整个写入绘 图RAM 的步骤如?: 1. 先将垂直的位元组座标(Y)写入绘图 RAM 位址. 2. 再将的水平座标(X)写入绘图 RAM 位址. 3. 将D15?D8 写入到 RAM ?(写入第?个Bytes). 4. 将D7?D0 写入到 RAM ?(写入第?个Bytes). 绘图显示的记忆体对应分布请参考 Table-8. LCD 驱动电路 驱动电路 驱动电路 驱动电路 LCD 驱动电路提供 33 common 以及 64 segment 讯号线来驱动 LCD 面版,segment 资料从 CGRAM/CGROM 转换 储存到 64 位元的 segment 串列闩锁,当33 个common ?的?个common 输出时,相对应的 segment 资料将从 64 位元的串列闩锁输出到 segment 驱动电路. 游标 游标 游标 游标/闪烁控制电路 闪烁控制电路 闪烁控制电路 闪烁控制电路 ST7920 提供硬体游标及闪烁控制电路,由位址计数器(address counter)的值来指定 DDRAM ?的游标或闪烁位置. SYB12864K 5 DDRAM 资料 资料 资料 资料 (字元代码 字元代码 字元代码 字元代码) CGRAM 位址 位址 位址 位址 CGRAM 资料 资料 资料 资料 (高位元组 高位元组 高位元组 高位元组) CGRAM 资料 资料 资料 资料 (低位元组 低位元组 低位元组 低位元组) B15~ B4 B 3 B 2 B 1 B 0 B 5 B 4 B 3 B 2 B 1 B 0 D 1 5 D 1 4 D 1 3 D 1 2 D 1 1 D 1 0 D 9 D 8 D 7 D 6 D 5 D 4 D 3 D 2 D 1 D 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 X 00 X 00 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 1 1 0 1 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 X 01 X 01 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 Table 5: : : : DDRAM资料(字元代码), 资料(字元代码), 资料(字元代码), 资料(字元代码),CGRAM位址以及 位址以及 位址以及 位址以及CGRAM资料(显示图像)的相互对照 资料(显示图像)的相互对照 资料(显示图像)的相互对照 资料(显示图像)的相互对照 关系图 关系图 关系图 关系图 附注: 1. DDRAM 资料(字元代码) 的位元 1 到2和CGRAM 位址的位元 4 到5同步吻合(2 位元:4 组图像). 2. CGRAM 位址的位元 0 到3指定字型图像的列位址,总共指定 16 列(4 位元),第16 列是游标的显示区域,游标 的显示和第 16 行的资料采用逻辑 OR 的方式产生显示结果. 3. 显示图像的横列图素对应到 CGRAM 资料的位元 0 到15 (位元 15 在最左边). 4. 选择到 CGRAM 的图像资料,DDRAM 资料的位元 4 到15 须设为 0,至於位元 0 及位元 3 则可为任意值. SYB12864K 6 ICON RAM 资料 资料 资料 资料 ICON RAM 位址 位址 位址 位址 在扩充指令集将 SR 设为"0",再利用设定 IRAM 位 址指令来设定 AC3….AC0 高位元组 高位元组 高位元组 高位元组 低位元组 低位元组 低位元组 低位元组 AC3 AC2 AC1 AC0 D15 D14 D13 D12 D11 D10 D9 D8 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 0 0 0 0 SEG0 SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 SEG9 SEG10 SEG11 SEG12 SEG13 SEG14 SEG15 0 0 0 1 SEG16 SEG17 SEG18 SEG19 SEG20 SEG21 SEG22 SEG23 SEG24 SEG25 SEG26 SEG27 SEG28 SEG29 SEG30 SEG31 0 0 1 0 SEG32 SEG33 SEG34 SEG35 SEG36 SEG37 SEG38 SEG39 SEG40 SEG41 SEG42 SEG43 SEG44 SEG45 SEG46 SEG47 0 0 1 1 SEG48 SEG49 SEG50 SEG51 SEG52 SEG53 SEG54 SEG55 SEG56 SEG57 SEG58 SEG59 SEG60 SEG61 SEG62 SEG63 0 1 0 0 SEG64 SEG65 SEG66 SEG67 SEG68 SEG69 SEG70 SEG71 SEG72 SEG73 SEG74 SEG75 SEG76 SEG77 SEG78 SEG79 0 1 0 1 SEG80 SEG81 SEG82 SEG83 SEG84 SEG85 SEG86 SEG87 SEG88 SEG89 SEG90 SEG91 SEG92 SEG93 SEG94 SEG95 0 1 1 0 SEG96 SEG97 SEG98 SEG99 SEG100 SEG101 SEG102 SEG103 SEG104 SEG105 SEG106 SEG107 SEG108 SEG109 SEG110 SEG111 0 1 1 1 SEG112 SEG113 SEG114 SEG115 SEG116 SEG117 SEG118 SEG119 SEG120 SEG121 SEG122 SEG123 SEG124 SEG125 SEG126 SEG127 1 0 0 0 SEG128 SEG129 SEG130 SEG131 SEG132 SEG133 SEG134 SEG135 SEG136 SEG137 SEG138 SEG139 SEG140 SEG141 SEG142 SEG143 1 0 0 1 SEG144 SEG145 SEG146 SEG147 SEG148 SEG149 SEG150 SEG151 SEG152 SEG153 SEG154 SEG155 SEG156 SEG157 SEG158 SEG159 1 0 1 0 SEG160 SEG161 SEG162 SEG163 SEG164 SEG165 SEG166 SEG167 SEG168 SEG169 SEG170 SEG171 SEG172 SEG173 SEG174 SEG175 1 0 1 1 SEG176 SEG177 SEG178 SEG179 SEG180 SEG181 SEG182 SEG183 SEG184 SEG185 SEG186 SEG187 SEG188 SEG189 SEG190 SEG191 1 1 0 0 SEG192 SEG193 SEG194 SEG195 SEG196 SEG197 SEG198 SEG199 SEG200 SEG201 SEG202 SEG203 SEG204 SEG205 SEG206 SEG207 1 1 0 1 SEG208 SEG209 SEG210 SEG211 SEG212 SEG213 SEG214 SEG215 SEG216 SEG217 SEG218 SEG219 SEG220 SEG221 SEG222 SEG223 1 1 1 0 SEG224 SEG225 SEG226 SEG227 SEG228 SEG229 SEG230 SEG231 SEG232 SEG233 SEG234 SEG235 SEG236 SEG237 SEG238 SEG239 1 1 1 1 Table 6 ICON RAM的位址,资料以及 的位址,资料以及 的位址,资料以及 的位址,资料以及Segment接脚的对应表 接脚的对应表 接脚的对应表 接脚的对应表 Table 7 16x8 半宽字型符号表 半宽字型符号表 半宽字型符号表 半宽字型符号表 SYB12864K 7 Table 8 GDRAM座标位 座标位 座标位 座标位址与资料排列顺序对照表 址与资料排列顺序对照表 址与资料排列顺序对照表 址与资料排列顺序对照表 GDRAM水平位址(X) GDRAM水平位址(X) GDRAM水平位址(X) GDRAM水平位址(X) G D R A M 垂直位址YGDRAM垂直位址YGDRAM垂直位址YGDRAM垂直位址Y000015 15 15 15 1 1 1 1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 b14 b15 b0 b13 SYB12864K 8 指令 指令 指令 指令 ST7920 提供两套控制命令,基本指令和扩充指令如?: 指令表 指令表 指令表 指令表 1: (RE=0: 基本指令集 基本指令集 基本指令集 基本指令集) 指令码 指令码 指令码 指令码 指令 指令 指令 指令 RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 说明 说明 说明 说明 执行时间 执行时间 执行时间 执行时间 (540KHZ) 清除显示 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 将DDRAM 填满 "20H",并且设定 DDRAM 的位址计数器 (AC)到"00H" 1.6 ms 位址归位 0 0 0 0 0 0 0 0 1 X 设定 DDRAM 的位址计数器(AC)到"00H",并且将游标 移到开头原点位置;这个指令并不改变 DDRAM 的内容 72us 进入点设定 0 0 0 0 0 0 0 1 I/D S 指定在资料的读取与写入时,设定游标的移动方向及指定 显示的移位 72us 显示状态 开/关0000001DCBD=1: 整体显示 ON C=1: 游标 ON B=1: 游标位置反白 ON 72 us 游标或显示 移位控制 0 0 0 0 0 1 S/C R/L X X 设定游标的移动与显示的移位控制位元;这个指令并不改 变DDRAM 的内容 72 us 功能设定 0 0 0 0 1 DL X 0 RE X X DL=1 8-BIT 控制介面 DL=0 4-BIT 控制介面 RE=1: 扩充指令集动作 扩充指令集动作 扩充指令集动作 扩充指令集动作 RE=0: 基本指令集动作 基本指令集动作 基本指令集动作 基本指令集动作 72 us 设定 CGRAM 位址 0 0 0 1 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 设定 CGRAM 位址到位址计数器(AC) 需确认扩充指令? 需确认扩充指令? 需确认扩充指令? 需确认扩充指令? SR=0 (卷动位址或 卷动位址或 卷动位址或 卷动位址或 RAM 位址选择 位址选择 位址选择 位址选择) 72 us 设定 DDRAM 位址 0 0 1 0 AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 设定 DDRAM 位址到位址计数器(AC) AC6 固定为 0 72 us 读取忙碌旗 标(BF)和 位址 0 1 BF AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 读取忙碌旗标(BF)可以确认内部动作是否完成,同时可 以读出位址计数器(AC)的值 0 us 写资料到 RAM 1 0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 写入资料到内部的 RAM (DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM) 72 us 读出 RAM 的值 1 1 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 从内部 RAM 读取资料 (DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM) 72 us SYB12864K 9 指令表 指令表 指令表 指令表 2: (RE=1: 扩充指令集 扩充指令集 扩充指令集 扩充指令集) 指令码 指令码 指令码 指令码 指令 指令 指令 指令 RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 说明 说明 说明 说明 执行时间 执行时间 执行时间 执行时间 (540KHZ) 待命模式 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 进入待命模式,,执行任何其他指令都可终止待命模式 (Com1..32 停止动作,只保留 Com33 ICON 显示) 72 us 卷动位址或 RAM 位址 选择 0 0 0 0 0 0 0 0 1 SR SR=1: 允许输入垂直卷动位址 SR=0: 允许输入 IRAM 位址(扩充指令 扩充指令 扩充指令 扩充指令) SR=0: 允许设定 CGRAM 位址(基本指令 基本指令 基本指令 基本指令) 72 us 反白选择 0 0 0 0 0 0 0 1 R1 R0 选择 4 行?的任?行作反白显示,并可决定反白与否 R1,R0 初值为 初值为 初值为 初值为 00 当第?次设定时为反白显示在?次设 当第?次设定时为反白显示在?次设 当第?次设定时为反白显示在?次设 当第?次设定时为反白显示在?次设 定时为正常显示 定时为正常显示 定时为正常显示 定时为正常显示 72 us 睡眠模式 0 0 0 0 0 0 1 SL X X SL=1: 脱离睡眠模式 SL=0: 进入睡眠模式 72 us 扩充 功能设定 0 0 0 0 1 DL X 1 RE G 0 DL=1 8-BIT 控制介面 DL=0 4-BIT 控制介面 RE=1: 扩充指令集动作 扩充指令集动作 扩充指令集动作 扩充指令集动作 RE=0: 基本指令集动作 基本指令集动作 基本指令集动作 基本指令集动作 G=1 :绘图显示 ON G=0 :绘图显示 OFF 72 us 设定 IRAM 位址 或卷动位址 0 0 0 1 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 SR=1: AC5~AC0 为垂直卷动位址 SR=0: AC3~AC0 为ICON RAM 位址 72 us 设定绘图 RAM 位址 0 0 1 0 AC6 0 AC5 0 AC4 AC3 AC3 AC2 AC2 AC1 AC1 AC0 AC0 设定 GDRAM 位址到位址计数器(AC) 先设垂直位址再设水平位址(连续写入两个位元组的资料来 完成垂直与水平的座标位址) 垂直位址範围 AC6...AC0 水平位址範围 AC3…AC0 72 us 备注: 备注: 备注: 备注: 1. 当ST7920 在接受指令前,微处理器必须先确认 ST7920 内部处於非忙碌状态,即读取 BF 旗标时 BF 需为 0,方可 接受新的指令;如果在送出?个指令前并不检查 BF 旗标,那麽在前?个指令和这个指令?间必须延迟?段较长的 时间,即是等待前?个指令确实执行完成,指令执行的时间请参考指令表?的个别指令说明. 2. "RE"为基本指令集与扩充指令集的选择控制位元,当变更"RE"位元后,往后的指令集将维持在最后的状态, 除非再次变更"RE"位元,否则使用相同的指令集时,不需每次重设"RE"位元. SYB12864K 10 指令集初始值 指令集初始值 指令集初始值 指令集初始值(Register flag) (RE=0: 基本指令集 基本指令集 基本指令集 基本指令集) 指令码 指令码 指令码 指令码 指令 指令 指令 指令 RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 说明 说明 说明 说明 0 0 0 0 0 0 0 1 I/D S 进入点设定 1 0 游标右移,DDRAM 位址计数器(AC)加10000001DCB显示状态 开/关000控制整体显示,游标,游标位置反白 ALL OFF 0 0 0 0 0 1 S/C R/L X X 游标或显示 移位控制 X X 无游标与显示移位动作 0 0 0 0 1 DL X 0 RE X X 功能设定 1 0 8 BIT MPU 控制界面 , 基本指令集动作 指令集初始值 指令集初始值 指令集初始值 指令集初始值(Register flag) (RE=1: 扩充指令集 扩充指令集 扩充指令集 扩充指令集) 指令码 指令码 指令码 指令码 指令 指令 指令 指令 RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 说明 说明 说明 说明 0 0 0 0 0 0 0 0 1 SR 卷动位址或 RAM 位址 选择 0 允许输入 IRAM 位址 or 设定 CGRAM 位址 0 0 0 0 0 0 0 1 R1 R0 反白选择 0 0 当第?次设定时为反白显示再?次设定时为正常显示 0 0 0 0 0 0 1 SL X X 睡眠模式 0 未进入待命模式 0 0 0 0 1 DL X 1 RE G 0 扩充 功能设定 0 绘图显示 OFF SYB12864K 11 基本 基本 基本 基本指令集说明 指令集说明 指令集说明 指令集说明 z z z z 清除显示 清除显示 清除显示 清除显示 将DDRAM 填满 "20H"(space code), 并且设定 DDRAM 的位址计数器 (AC) 到"00H",重设进入点设定将 I/D 设为 "1" 游标右移 AC 加1zzzz位址归位 位址归位 位址归位 位址归位 设定 DDRAM 的位址计数器(AC)到"00H",并且将游标移到开头原点位置;这个指令并不改变 DDRAM 的内容 z z z z 进入点设定 进入点设定 进入点设定 进入点设定 指定在资料的读取与写入时,设定游标的移动方向及指定显示的移位 I/D :位址计数器递增递减选择 位址计数器递增递减选择 位址计数器递增递减选择 位址计数器递增递减选择 当I/D = "1", 游标右移,DDRAM 位址计数器(AC)加1当I/D = "0", 游标左移,DDRAM 位址计数器(AC)减1S: 显示画面整体位移 显示画面整体位移 显示画面整体位移 显示画面整体位移 S I/D DESCRIPTION H H 画面整体左移 H L 画面整体右移 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 Code Code Code RS RS RS RW RW RW DB7 DB7 DB7 DB6 DB6 DB6 DB5 DB5 DB5 DB4 DB4 DB4 DB1 DB1 DB1 DB2 DB2 DB2 DB3 DB3 DB3 0 1 I/D 1 x S DB0 DB0 DB0 SYB12864K 12 z z z z 显示状态开关 显示状态开关 显示状态开关 显示状态开关 控制整体显示,游标,游标位置反白 ON/OFF D : 整体显示 整体显示 整体显示 整体显示 ON/OFF 控制位元 控制位元 控制位元 控制位元 当D="1",整体显示 ON 当D="0",整体显示 OFF ,但不改变 DDRAM 的内容 C : 游标 游标 游标 游标 ON/OFF 控制位元 控制位元 控制位元 控制位元 当C="1",游标显示 ON. 当C="0",游标显示 OFF. B : 游标位置反白 游标位置反白 游标位置反白 游标位置反白 ON/OFF 控制位元 控制位元 控制位元 控制位元 当B="1",游标位置显示反白 ON,将游标所在之位址?的资料反白显示. 当B="0", .游标位置显示反白 OFF z z z z 游标或显示移位控制 游标或显示移位控制 游标或显示移位控制 游标或显示移位控制 设定游标的移动与显示的移位控制位元;这个指令并不改变 DDRAM 的内容 S/C R/L Description AC Value L L 游标向左移动 AC=AC-1 L H 游标向右移动 AC=AC+1 H L 显示(display)向左移动,且游标跟这移动 AC=AC H H 显示(display)向右移动,且游标跟这移动 AC=AC 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 S/C D R/L Code Code RS RS RW RW DB7 DB7 DB6 DB6 DB5 DB5 DB4 DB4 DB1 DB1 DB2 DB2 DB3 DB3 C x B x DB0 DB0 SYB12864K 13 z z z z 功能设定 功能设定 功能设定 功能设定 DL : 4/8 BIT 界面控制位元 界面控制位元 界面控制位元 界面控制位元 当DL = "1", 为8BIT MPU 控制界面 当DL = "0", 为4BIT MPU 控制界面 RE : 指令集选择控制位元 指令集选择控制位元 指令集选择控制位元 指令集选择控制位元 当RE = "1", 为扩充指令集动作 当RE = "0", 为基本指令集动作 同?指令之动作不可同时改变 同?指令之动作不可同时改变 同?指令之动作不可同时改变 同?指令之动作不可同时改变 RE 及及及及DL 需先改变 需先改变 需先改变 需先改变 DL 后在改变 后在改变 后在改变 后在改变 RE 才可确保 才可确保 才可确保 才可确保 FLAG 正确设定 正确设定 正确设定 正确设定 z z z z 设定 设定 设定 设定 CGRAM 位址 位址 位址 位址 设定 CGRAM 位址到位址计数器(AC) AC 範围为 00H..3FH 需确认扩充指令? 需确认扩充指令? 需确认扩充指令? 需确认扩充指令? SR=0 (卷动位址或 卷动位址或 卷动位址或 卷动位址或 RAM 位址选择 位址选择 位址选择 位址选择) z z z z 设定 设定 设定 设定 DDRAM 位址 位址 位址 位址 设定 DDRAM 位址到位址计数器(AC). 第?行AC 範围为 80H..8FH 第?行AC 範围为 90H..9FH 第?行AC 範围为 A0H..AFH 第?行AC 範围为 B0H..BFH z 读取忙碌旗标( 读取忙碌旗标( 读取忙碌旗标( 读取忙碌旗标(BF)和位址 )和位址 )和位址 )和位址 读取忙碌旗标(BF)可以确认内部动作是否完成,同时可以读出位址计数器(AC)的值 0 0 0 0 1 DL X RE Code RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB1 DB2 DB3 x x DB0 0 0 0 1 AC5 AC4 AC3 AC2 Code RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB1 DB2 DB3 AC1 AC0 DB0 0 0 1 AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 Code RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB1 DB2 DB3 AC1 AC0 DB0 0 1 BF AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 Code RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB1 DB2 DB3 AC1 AC0 DB0 SYB12864K 14 当BF = "1", 表示内部忙碌?此时不可?指令需等 BF = "0"才可?新指令. z z z z 写入资料到 写入资料到 写入资料到 写入资料到 RAM 写入资料到内部的 RAM 当写入后會使 (AC) 改变 每个 RAM 位址(CGRAM,DDRAM,IRAM…..)都可连续写入两个位元组的资料(2-Bytes)当写入第? BYTE 时位 址计数器(AC)的值就會自动加? z z z z 读取 读取 读取 读取 RAM 的值 的值 的值 的值 从内部的 RAM 读取资料, 当读取后會使 (AC) 改变 当?设定位址指令后(CGRAM,DDRAM,IRAM…..)若要读取资料时需先 DUMMY READ ?次才會读取到正确资料 第?次读取时则不需 DUMMY READ 除非又?设定位址指令才需再次 DUMMY READ. 1 1 0 1 D7 D7 D6 D6 D5 D5 D4 D4 D3 D3 D2 D2 Code Code RS RS RW RW DB7 DB7 DB6 DB6 DB5 DB5 DB4 DB4 DB1 DB1 DB2 DB2 DB3 DB3 D1 D1 D0 D0 DB0 DB0 SYB12864K 15 扩充指令集说明 扩充指令集说明 扩充指令集说明 扩充指令集说明 z z z z 待命模式 待命模式 待命模式 待命模式 进入待命模式,,执行任何其他指令都可终止待命模式;这个指令并不改变 RAM 的内容 z z z z 卷动位址或 卷动位址或 卷动位址或 卷动位址或 RAM 位址选择 位址选择 位址选择 位址选择 当SR = "1",允许输入垂直卷动位址 当SR = "0",允许输入 IRAM 位址(扩充指令 扩充指令 扩充指令 扩充指令)及允许设定 CGRAM 位址(基本指令 基本指令 基本指令 基本指令) z z z z 反白选择 反白选择 反白选择 反白选择 选择 4 行?的任?行作反白显示,并可决定反白与否 R1,R0 初值为 00 当第?次设定时为反白显示再?次设定时为正常显示 R1 R0 Description L L 第?行反白或正常显示 L H 第?行反白或正常显示 H L 第?行反白或正常显示 H H 第?行反白或正常显示 z z z z 睡眠模式 睡眠模式 睡眠模式 睡眠模式 SL=1: 脱离睡眠模式 SL=0: 进入睡眠模式 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 SL Code Code Code Code RS RS RS RS RW RW RW RW DB7 DB7 DB7 DB7 DB6 DB6 DB6 DB6 DB5 DB5 DB5 DB5 DB4 DB4 DB4 DB4 DB1 DB1 DB1 DB1 DB2 DB2 DB2 DB2 DB3 DB3 DB3 DB3 0 1 R1 0 1 SR R0 0 DB0 DB0 DB0 DB0 SYB12864K 16 z z z z 扩充功能设定 扩充功能设定 扩充功能设定 扩充功能设定 DL : 4/8 BIT 界面控制位元 界面控制位元 界面控制位元 界面控制位元 当DL = "1", 为8BIT MPU 控制界面 当DL = "0", 为4BIT MPU 控制界面 RE : 指令集选择控制位元 指令集选择控制位元 指令集选择控制位元 指令集选择控制位元 当RE = "1", 为扩充指令集动作 当RE = "0", 为基本指令集动作 G : 绘图显示控制位元 绘图显示控制位元 绘图显示控制位元 绘图显示控制位元 当G="1", 绘图显示 ON 当G="0", 绘图显示 OFF 同?指令之动作不可同时改变 同?指令之动作不可同时改变 同?指令之动作不可同时改变 同?指令之动作不可同时改变 RE 及及及及DL, G 需先改变 需先改变 需先改变 需先改变 DL 或或或或G后在改变 后在改变 后在改变 后在改变 RE 才可确保 才可确保 才可确保 才可确保 FLAG 正确设定 正确设定 正确设定 正确设定 z z z z 设定 设定 设定 设定 IRAM 位址或卷动位址 位址或卷动位址 位址或卷动位址 位址或卷动位址 SR=1: AC5~AC0 为垂直卷动位址 SR=0: AC3~AC0 为ICON RAM 位址 z z z z 设定绘图 设定绘图 设定绘图 设定绘图 RAM 位址 位址 位址 位址 设定 GDRAM 位址到位址计数器(AC) 先设垂直位址再设水平位址(连续写入两个位元组的资料来完成垂直与水平的座标位址) 垂直位址範围 AC6...AC0 水平位址範围 AC3…AC0 绘图 RAM 之位址计数器(AC)只會对水平位址(X 轴)自动加?,当水平位址=0FH 时會重新设为 00H 但并不會对垂直位 址做进位自动加?故当连续写入多笔资料时程式需自行判断垂直位址是否需重新设定 0 0 0 0 1 DL x RE Code RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB1 DB2 DB3 G x DB0 0 0 1 AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 Code RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB1 DB2 DB3 AC1 AC0 DB0 0 0 0 1 AC5 AC4 AC3 AC2 Code RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB1 DB2 DB3 AC1 AC0 DB0 SYB12864K 17 并列介面资料传输讯号 并列介面资料传输讯号 并列介面资料传输讯号 并列介面资料传输讯号 当PSB脚接高电位时,ST7920将进入并列模式,在并列模式?可由指令 DL FLAG 来选择8-位元或4-位元介面,主控制 系统将配合( RS , RW , E , DB0..DB7 )来达成传输动作. 从?个完整的流程来看,当?设定位址指令后(CGRAM,DDRAM,IRAM…..)若要读取资料时需先 DUMMY READ ?次 才會读取到正确资料第?次读取时则不需 DUMMY READ 除非又?设定位址指令才需再次 DUMMY READ. 在4-位元传输模式?,每?个八位元的指令或资料都将被分为两个位元组动作:较高4位元(DB7~DB4)的资料将會被 放在第?个位元组的(DB7~DB4)部分,而较低4位元(DB3~DB0)的资料则會被放在第?个位元组的(DB7~DB4) 部分,至於相关的另?位元则在4-位元传输模式?DB3~DB0介面未使用. 相关介面传输讯号请参考?图说明: DB0-DB7 R/W RS E Dummy Instruction RAM Timing Diagram of 8-bit Parallel Bus Mode Data Transfer DB0-DB7 R/W RS E Dummy RAM Timing Diagram of 4-bit Parallel Bus Mode Data Transfer Instruction 4-bit 4-bit 4-bit 4-bit 4-bit 4-bit Upper Low Upper Low Upper Low SYB12864K 18 串列介面与串列传输资料 串列介面与串列传输资料 串列介面与串列传输资料 串列介面与串列传输资料 当PSB脚接低电位时,ST7920将进入串列模式,在串列模式?将使用两条资料传输线作串列资料的传送,主控制系统将 配合传输同步时脉线(SCLK)与接收串列资料线(SID),来达成串列传输的动作. 当需要同时连接数颗ST7920晶片时,晶片选择脚(CS)将要被配合使用,在晶片选择脚(CS)设为高电位时,同步时 脉线(SCLK)输入的讯号才會被接收,另?方面,当晶片选择脚(CS)设为低电位时,ST7920的内部串列传输计数与 串列资料将會被重置,也就是说在此状态?,传输?的资料将被终止清除,并且将待传输的串列资料计数重设回第?位元;在?个最小的系统架构?,由?个微处理器连接控制单?个ST7920晶片时,相关的连接介面只需要使用同步时脉线 (SCLK)与接收串列资料线(SID)两只脚,在这个模式?晶片选择脚(CS)将被固定接到高电位. ST7920的同步时脉线(SCLK)具有独立的操作时脉,但是当有连续多个指令需要被传送时,指令执行的时间将需要被 考虑,必须确实等到前?个指令完全执行完成才能传送??笔资料,因为ST7920内部并没有传送/接收缓冲区. 从?个完整的串列传输流程来看,?开始先传输启始位元组,它需先接收到五个连续的〝1〞(同步位元字串)在启始 位元组,此时传输计数将被重置并且串列传输将被同步,再跟随的两个位元字串分别指定传输方向位元(RW)及暂存 器选择位元(RS),最后第八的位元则为〝0〞. 在接收到同步位元及RW和RS资料的启始位元组后,每?个八位元的指令将被分为两个位元组接收到:较高4位元 (DB7~DB4)的指令资料将會被放在第?个位元组的LSB部分,而较低4位元(DB3~DB0)的指令资料则會被放在第? 个位元组的LSB部分,至於相关的另?位元则都为0. 串列传输讯号请参考?图说明: 1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 1 1 1 1 1 RW RS 0 D7 D6 D5 D4 0 0 0 0 0 0 0 0 D3 D2 D1 D0 CS SCLK SID Synchronizing Bit string Higher data Lower data 3 1st byte 2nd byte Timing Diagram of Serial Mode Data Transfer ST7920---12864 19 并口测试程序 ; CHARACTER TYPE MODULE TEST PROGRAM ; CPU 89C51 OSC=6MHZ ; RS EQU P2.0 OR A0 ; R/W EQU P2.1 OR P2.0 ; E EQU /(/WR*/RD) ; D0~D7 EQU P0.0~P0.7 ;12864 实际上是 25632 COMW EQU 0000H ;COMWMAND WRITE ADDRESS COMR EQU 0200H ;0000 0010 0000 0000 DAT EQU 0101H ;DATAADDRESS DATR EQU 0300H ;DATA READ ADDRESS DDRAM EQU 40H TEST EQU 1EH Y_V EQU 1DH KEY EQU P3.4 ; TAB_BMP1 EQU 0300H TAB_BMP2 EQU 0740H TAB_BMP3 EQU 0B80H ORG 0000H AJMP MAIN ORG 0030H MAIN: MOV SP,#70H LCALL DEL_10MS LCALL DEL_10MS MOV TEST,#00 LOOP: LCALL INTI MOV DPTR,#TAB_HZ1 LCALL DP_LINE_HZ MOV DPTR,#COMW MOV A,#90H ;1001 0000 设定 CGRAM 位址 LCALL RFG MOVX @DPTR,A MOV DPTR,#TAB_HZ2 LCALL DP_LINE_HZ LCALL DEL_1S MOV DPTR,#TAB_BMP1 LCALL BMP 20 LCALL DEL_1S LCALL BMP_BLACK LCALL DEL_1S MOV DPTR,#TAB_BMP2 LCALL BMP LCALL DEL_1S MOV DPTR,#TAB_BMP3 LCALL BMP LCALL DEL_1S LJMP MAIN DP_HZ: CLR A MOVC A,@A+DPTR INC DPTR PUSH DPL PUSH DPH MOV DPTR,#DAT LCALL RFG MOVX @DPTR,A POP DPH POP DPL CLR A MOVC A,@A+DPTR INC DPTR PUSH DPL PUSH DPH MOV DPTR,#DAT LCALL RFG MOVX @DPTR,A POP DPH POP DPL RET DP_LINE_HZ: MOV R7,#32 NT_HZ: CLR A MOVC A,@A+DPTR INC DPTR PUSH DPL PUSH DPH MOV DPTR,#DAT 21 LCALL RFG MOVX @DPTR,A POP DPH POP DPL DJNZ R7,NT_HZ RET BMP: PUSH DPL PUSH DPH MOV R7,#64 ;(128x64)/(16x8)=64 MOV A,#80H ;SET DDRAM DISPLAY HCGROM MOV DPTR,#COMW LCALL RFG MOVX @DPTR,A MOV A,#20H ;20 号=空白字符 MOV DPTR,#DAT CLS: LCALL RFG MOVX @DPTR,A DJNZ R7,CLS ;CLR LCD MOV DPTR,#COMW MOV A,#34H ;0011 0100 8-BIT 控制 扩充指令 LCALL RFG MOVX @DPTR,A MOV A,#36H ;0011 0110 8-BIT 扩充指令 绘图 ON LCALL RFG MOVX @DPTR,A MOV Y_V,#80H MOV R6,#32 NEXT_LINE1: MOV R7,#32 MOV A,Y_V;#80H;YYY LCALL RFG MOV DPTR,#COMW MOVX @DPTR,A MOV A,#80H ;1000 0000 设定绘图 GDRAM 地址到计数器 AC LCALL RFG MOVX @DPTR,A NEXT_LINE: POP DPH POP DPL MOV A,#00H 22 MOVC A,@A+DPTR INC DPTR PUSH DPL PUSH DPH MOV DPTR,#DAT LCALL RFG MOVX @DPTR,A DJNZ R7,NEXT_LINE INC Y_V DJNZ R6,NEXT_LINE1 POP DPH POP DPL RET BMP_BLACK: PUSH DPL PUSH DPH MOV R7,#64 MOV A,#80H ;SET GDRAM MOV DPTR,#COMW LCALL RFG MOVX @DPTR,A MOV A,#20H ;CLR LCD MOV DPTR,#DAT CLS1: LCALL RFG MOVX @DPTR,A DJNZ R7,CLS1 MOV DPTR,#COMW MOV A,#34H ;0011 0100 扩充指令(分两次指令) LCALL RFG MOVX @DPTR,A MOV A,#36H ;0011 0110 绘图显示 ON LCALL RFG MOVX @DPTR,A MOV Y_V,#80H MOV R6,#32 NEXT_LINE3: MOV R7,#32 MOV A,Y_V;#80H;YYY LCALL RFG MOV DPTR,#COMW MOVX @DPTR,A 23 MOV A,#80H LCALL RFG MOVX @DPTR,A NEXT_LINE2: POP DPH POP DPL MOV A,#0FFH ;MOVC A,@A+DPTR ;INC DPTR PUSH DPL PUSH DPH MOV DPTR,#DAT LCALL RFG MOVX @DPTR,A DJNZ R7,NEXT_LINE2 INC Y_V DJNZ R6,NEXT_LINE3 POP DPH POP DPL RET DEL_1S: MOV R7,#10D DEL2: MOV R6,#200D DEL1: MOV R5,#200D DEL0: JB KEY,DEGO LJMP RKEY DEGO: DJNZ R5,DEL0 DJNZ R6,DEL1 DJNZ R7,DEL2 RET RKEY: LCALL DEL_10MS JB KEY,DEGO HERR: JNB KEY,HERR LCALL DEL_10MS JNB KEY,HERR RET DEL_10MS: MOV R4,#10D DD2: MOV R3,#250D DD1: NOP NOP 24 NOP DJNZ R3,DD1 DJNZ R4,DD2 RET INTI: MOV DPTR,#COMW LCALL DEL_10MS LCALL DEL_10MS MOV A,#30H;01H ;0011 0000 MOVX @DPTR,A LCALL RFG LCALL DEL_10MS MOV A,#30H;01H ;0011 0000 8-BIT 控制 基本指令 MOVX @DPTR,A LCALL RFG MOV A,#0CH ;0000 1100 整体显示 ON MOVX @DPTR,A LCALL RFG MOV A,#01H ;0000 0001 清除显示 DDRAM all->20H MOVX @DPTR,A LCALL RFG MOV A,#06H ;0000 0110 进入点设定 MOVX @DPTR,A LCALL RFG RET RFG: PUSH ACC PUSH DPL PUSH DPH MOV DPTR,#COMR RFGO: MOVX A,@DPTR JB ACC.7,RFGO POP DPH POP DPL POP ACC RET ORG 200H TAB_HZ1: DB "七黄河远上白云间绝羌笛何须怨杨柳" TAB_HZ2: DB "言一片孤城万仞山句春风不渡玉门关" TAB_BMP1: 25 ;-- 调入了一幅图像:D:\汇编程序\7920\25632.bmp -- ;-- 宽度 x 高度=256x32 -- DB 0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH, DB 0A0H,020H,000H,01FH,06FH,0BCH,007H,0A5H,0BFH,0FCH,009H,09FH,0F0H,000H,000H,005H, DB 080H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,001H, DB 0A2H,024H,000H,01FH,0EFH,0ECH,002H,030H,0DFH,0FFH,088H,0CFH,0F0H,000H,040H,005H, DB 0BFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FDH, DB 0A1H,024H,000H,01FH,0FFH,0C0H,040H,010H,0FFH,0FFH,0F8H,047H,0F0H,000H,040H,005H, DB 0A2H,000H,000H,000H,000H,03CH,000H,000H,00DH,0FFH,000H,000H,000H,000H,000H,045H, DB 0A1H,028H,000H,03FH,0FFH,080H,040H,01CH,07FH,0FFH,0FCH,067H,0F0H,007H,0FCH,005H, DB 0A4H,000H,000H,000H,007H,0FFH,000H,000H,000H,0FFH,0E0H,000H,000H,000H,000H,025H, DB 0A0H,020H,000H,03FH,0FFH,01CH,000H,03FH,07FH,0FFH,0FEH,033H,0E0H,004H,044H,005H, DB 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400mA 需逆变器 注:以上参数仅作参考,不同型号的背光会有所不同. 27 附录 2: 注意事项: 十分感谢您购买我公司的产品,在使用前请您首先仔细阅读以下注意事项,以免给您造成不必要的损 失,您在使用过程中遇到困难时,请拨打我们的服务电话,我们将尽力为您提供服务和帮助. 1. 处理保护膜 在装好的模块成品表面贴有一层保护膜,以防在装配时沾污显示表面,在整机装配结束前不得撕去, 以免弄脏或损坏表面. 2. 加装衬垫 在模块和前面板之间最好加装一块约 0.1 毫米左右的衬垫.面板还应保持平整,以免在装配后产生扭 曲,并可提高其抗振性能. 3. 严防静电 模块中的控制、驱动电压是很低、微功耗的 CMOS 电路,极易被静电击穿,静电击穿是一种不可修复 的损坏,而人体有时会产生高达几十伏或上百伏的静电,所以,在操作、装配以及使用中都应极其小心, 严防静电.为此: (1) 不要用手随意去摸外引线、电路板上的电路及金属框. (2) 如必须直接接触时,应使人体与模块保持在同一电位,或使人体良好接地. (3) 焊接使用的烙铁及装配使用的电动工具必须良好接地,没有漏电. (4) 不得使用真空吸尘器进行清洁处理,因为它会产生很强的静电. (5) 空气干燥也会产生静电,因此,工作间湿度应在 RH60%以上. (6) 取出或放回包装袋或移动位置时,也需小心,防止产生静电.不要随意更换包装或舍弃原包 装. 4. 装配操作时的注意事项 (1) 模块是经过精心设计组装而成的,请勿随意自行加工、修整. (2) 金属框爪不得随意扭动、拆卸. (3) 不要随意修改加工 PCB 板外形、装配孔、线路及其部件. (4) 不得修改导电胶条. (5) 不得修改任何内部支架. (6) 不要碰、摔、折曲、扭动模块. 5. 焊接 在焊接外引线时,应按如下规程进行操作. (1) 烙铁头温度小于 280 度. (2) 焊接时间不超过 4 秒. (3) 焊接材料:共晶型、低熔点. (4) 不要使用酸性助焊剂. 28 (5) 重复焊接不要超过三次,且每次重复需间隔 5 分钟. 6. 模块的使用与保养 (1) 模块的外引线决不允许接错,在您想调试液晶模块时,请注意正确接线,尤其是正负电源的 接线不能接错,否则可能造成过流、过压烧电路上的芯片等对液晶模块元器件有损的现象. (2) 模块在使用时,接入电源及断开电源,必须在正电源稳定接入以后才能输入信号电平.如在 电源稳定前或断开后输入信号电平,有可能损坏模块中的 IC 及电路. (3) 点阵液晶模块显示时的对比度、视角与温度、驱动电压的关系很大,所以,如果驱动电压过 高,不仅会影响显示效果,还会缩短模块的使用寿命. (4) 因为液晶材料的物理特性,液晶的的对比度会随温度的变化而相应变化,所以,您加的负压 也应随温度作相应调整.大致是温度变化 10 度,电压变化 1 伏.为满足这一要求,您可以做 一个温度补偿电路,或者安排一个电位器,随温度调整负电压值. (5) 不应在规定工作温度范围外使用,并且不应在超过存储极限温度的范围外存储.如果温度低 于结晶温度,液晶就会结晶,如果温度过高,液晶将变成各向同性的液晶,破坏分子取向, 使器件报废. (6) 用力按显示部分,会产生异常显示.这时切断电源,稍待片刻重新上电,即恢复正常. (7) 液晶显示器件或模块表面结雾时,不要通电工作,因为这将引起电极化学反应,产生断线. (8) 长期用于阳光及强光下时,被遮部分会产生残留现象. 7. 模块的存储 若长期(如几年以上)存储,我们推荐以下方式: (1) 装入聚乙稀口袋(最好有防静电涂层)并将口封住 (2) 在-10°C --- +35°C 之间存储. (3) 放在暗处,避强光. (4) 决不能在表面压放任何物品. (5) 严格避免在极限温度/湿度条件下存放. 8. 有限责任和保修 如果三元和客户没有发生任何协议,三元将从发货日期算起一年内依据三元液晶显示模块接受标准 (按要求提供复印件)更换或修理功能性故障的液晶显示模块. 外观/视觉毛病必须从发货日计起 90 天内送返三元,日期的确认将根据货运文件.三元保证的责任限 于上述提及项目的维修和更换,三元不对突发性事件负责任. 保修是以上述注意事项未被忽视为先决条件的,典型的违反例子如下: (1)断裂的液晶显示屏玻璃. (2)线路板孔修改或损坏. (3)线路板布线损坏. (4)电路修改,包括元件的增加. (5)线路板随意研磨、雕刻或油漆. (6)焊接或更改玻璃框. 模块维修将基于双方协议下列出给顾客的清单.模块必须与防静电包装和故障详细陈述一起送回.顾 客安装的连接器或电缆必须在不破坏线路板孔,线路和引线端条件下全部移去.
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更新时间：2014-06-27
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液晶显示模块使用手册 型号:SYB12864K-ZK 版本: 1.0 LCM 选配说明常温( 0~+50℃) 宽温(-20~+70℃) 超宽温(-30~+80℃) 液晶片 LCD 黄绿模 蓝模 灰模 黑白模 背光BackLight LED 白光 LED 翡翠绿光 LED 蓝光 E L 白光 EL 蓝光 CCFL 负压 电路 模块板载负压 不带负压 EL 逆变器 外挂 板载 不配备 CCFL 逆变 配备 不配备 深圳市三元晶 液晶显示科技有限公司 电话:0755-2789 2739 传真:0755-2789 7479 网址:WWW.LCMLCD.COM 地址:深圳市宝安39区海乐路58-60号503 联系人:郑勇斌 E-mail:@126.com Display Format 128X64 DOTS Driving Method 1/32 Duty 1/6 Bias A: A: LCD PANEL LED+ LED- ST7920 COM32 VSS VDD RS R/W E DB0 DB7 PSB LED BACKLIGHT SEG96 SEG96 DB0 DB0 DB0 DB0 DB0 DB0 DB0 VOUT RES ST7921 ST7921 SEG64 1 4 5 128 X 64 0.52 X 0.52 0.48 X 0.48 80.0 (With B/L) 72.0 X 40.0 93.0 X 70.0 X 12 Data bus [0~7]. There state I/O common terminal. Power positive (+5V+10%). System reset low active. No Connect (Negative voltage Supply for LCD) Enable trigger. (Serial Clock) H:Data L:Instruction Code (Serial Chip Select) Power ground 2 ITEM SPECFICATION UNIT 3 SYMBOL ITEM DESCRIPTION H:Read L:Write (Serial Data) H: Parallel mode L: Serial mode (Have Done in Board) No Connect (Negative voltage Output) BACKLIGHT ANODE(+5V) . BACKLIGHT CATHODE (0V). No Connect SYB12864K-ZK PARAMETER SYMBOL MAX. MIN. UNIT SUPPLY VOLTAGE LOGIC SUPPLY VOLTAGE DRIVER INPUT VOLTAGE VDD 0 5.5 V V0-GND 0 15 V VIN 0 VDD V SYB12864K 2 功能说明 功能说明 功能说明 功能说明 ST7920 系统介面 系统介面 系统介面 系统介面 ST7920提供?种介面来连接微处理机:8-位元汇流排,4-位元汇流排及串列汇流排介面,经由外部PSB脚来选择介面的 种类,当PSB脚接"1"时为选择8/4-位元介面模式,而当接"0"时为串列介面模式. 在读或是写ST7920的动作?,有两个8-位元的暂存器将會被使用到,?个是资料暂存器(DR)另?个是指令暂存器 (IR).透过资料暂存器(DR)可以存取DDRAM/CGRAM/GDRAM以及IRAM的值,待存取目标RAM的位址,透过指 令命令来选择,每次的资料暂存器(DR)存取动作都将自动的以?回选择的目标RAM位址当主体来作写入或读取. 配合RS及RW可以选择决定控制介面的4种读写模式,详见?表: RS RW 功功功功能能能能说说说说明明明明LLMPU写指令到指令暂存器(IR) L H 读出忙碌旗标(BF)及位址计数器(AC)的状态 H L MPU写入资料到资料暂存器(DR) H H MPU从资料暂存器(DR)?读出资料 忙碌旗标( 忙碌旗标( 忙碌旗标( 忙碌旗标(BF) ) ) ) 当BF为"1"时,表示内部的操作正在进行?,亦即是内部处於忙碌状态,此时并不接受新的指令动作,要输入新的指 令前,必须先读取BF旗标,?直要到BF旗标读取"0"时,才能接受输入新的指令;?般而言任何的指令输入后ST7920 内部都需要时间处置,在处置完成前并不接受??个指令,而每?个指令的处置时间并不相同,所以要知道ST7920内 部是否已处置完成,可以接受??指令可以由读取BF旗标来确认. 位址计数器( 位址计数器( 位址计数器( 位址计数器(AC) ) ) ) 位址计数器(AC)用来储存DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM之?的位址,它可藉由设定指令暂存器(IR)来改变,之 后只要读取或是写入DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM的值时,位址计数器(AC)的值就會自动加?,当RS为"0"时而RW为"1"时,位址计数器(AC)的值會被读取到DB6?DB0?. ?文字型产生 ?文字型产生 ?文字型产生 ?文字型产生 ROM (CGROM)及半宽字型 及半宽字型 及半宽字型 及半宽字型ROM( ( ( (HCGROM) ) ) ) ST7920 字型产生 ROM 提供 8192 个16 x 16 点的?文字形图像以及 126 个16 x 8 点的数字符号图像,它使用两个 位元组来提供字型编码选择,配合 DDRAM 将要显示的字型码写入到 DDRAM ?,硬体将自动的依照编码从 CGROM ?将要显示的字型显示在萤幕?. 字型产生 字型产生 字型产生 字型产生 RAM (CGRAM) ST7920 字型产生 RAM 提供使用者图像定义(造字)功能,可以提供?组16x16 点的自订图像空间,使用者可以将内 部字型没有提供的图像字型自行定义到 CGRAM ?,便可和 CGRAM ?的定义?般的透过 DDRAM 显示在萤幕?. ICON RAM( ( ( (IRAM) ) ) ) ST7920 提供 240 点的 ICON 显示,它分别由 15 组的 IRAM 位址来组成,每?组IRAM 位址由 16 个位元构成,每次写 入?组IRAM 时,需先指定 IRAM 的位址,再透过连续写入两个位元组的资料来完成,先写入高位元组(D15?D8)再 写入低位元组(D7?D0). SYB12864K 3 Table 4 显示资料 显示资料 显示资料 显示资料 RAM( ( ( (DDRAM) ) ) ) 显示资料 RAM 提供 64x2 个位元组的空间,最多可以控制 4 行16 字(64 个字) 的?文字型显示,当写入显示资料 RAM 时,可以分别显示 CGROM,HCGROM 与CGRAM 的字型;ST7920 可以显示?种字型,分别是半宽的 HCGROM 字型、CGRAM 字型及?文CGROM 字型,?种字型的选择,由在 DDRAM ?写入的编码选择,在0000H?0006H 的编 码?将选择 CGRAM 的自定字型,02H?7FH 的编码?将选择半宽英数字的字型,至於 A1 以?的编码将自动的结合? ?个位元组,组成两个位元组的编码达成?文字型的编码 BIG5(A140?D75F) GB(A1A0?F7FF),详细各种字型编 码如?: 1. 显示半宽字型:将8位元资料写入 DDRAM ?,範围为 02H?7FH 的编码. 2. 显示 CGRAM 字型:将16 位元资料写入 DDRAM ?,总共有 0000H,0002H,0004H, 0006H ?种编码. 3. 显示?文字形:将16 位元资料写入 DDRAM ? 範围为 A140H?D75FH 的编码(BIG5) , 範围为 A1A0H?F7FFH 的编码(GB). 将16 位元资料写入 DDRAM 方式为透过连续写入两个位元组的资料来完成,先写入高位元组(D15?D8)再写入低位 元组(D7?D0). 参照 Table 5 显示 CGRAM 的位址、DDRAM 资料以及显示图像的关系. CGRAM 字型与?文字形之编码只可出现在每? Address conuter 的启始位置(参考 Table 4) 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8B 8C 8D 8E 8F H L H L H L H L H L H L H L H L H L H L H L H L H L H L H L H L S i t r o n i x S T 7 9 2 0 矽矽矽矽创创创创电电电电子子子子..????文文文文编编编编码码码码(正正正正确确确确)矽矽矽矽创创创创电电电电子子子子...????文文文文编编编编码码码码错误填入?文码位置 SYB12864K 4 绘图 绘图 绘图 绘图 RAM( ( ( (GDRAM) ) ) ) 绘图显示 RAM 提供 64x32 个位元组的记忆空间(由扩充指令设定绘图 RAM 位址) , 最多可以控制 256x64 点的?维绘图 缓冲空间,在更改绘图 RAM 时,由扩充指令设定 GDRAM 位址先设垂直位址再设水平位址(连续写入两个位元组的资料 来完成垂直与水平的座标位址),再写入两个 8 位元的资料到绘图 RAM,而位址计数器(AC)會自动加?,整个写入绘 图RAM 的步骤如?: 1. 先将垂直的位元组座标(Y)写入绘图 RAM 位址. 2. 再将的水平座标(X)写入绘图 RAM 位址. 3. 将D15?D8 写入到 RAM ?(写入第?个Bytes). 4. 将D7?D0 写入到 RAM ?(写入第?个Bytes). 绘图显示的记忆体对应分布请参考 Table-8. LCD 驱动电路 驱动电路 驱动电路 驱动电路 LCD 驱动电路提供 33 common 以及 64 segment 讯号线来驱动 LCD 面版,segment 资料从 CGRAM/CGROM 转换 储存到 64 位元的 segment 串列闩锁,当33 个common ?的?个common 输出时,相对应的 segment 资料将从 64 位元的串列闩锁输出到 segment 驱动电路. 游标 游标 游标 游标/闪烁控制电路 闪烁控制电路 闪烁控制电路 闪烁控制电路 ST7920 提供硬体游标及闪烁控制电路,由位址计数器(address counter)的值来指定 DDRAM ?的游标或闪烁位置. SYB12864K 5 DDRAM 资料 资料 资料 资料 (字元代码 字元代码 字元代码 字元代码) CGRAM 位址 位址 位址 位址 CGRAM 资料 资料 资料 资料 (高位元组 高位元组 高位元组 高位元组) CGRAM 资料 资料 资料 资料 (低位元组 低位元组 低位元组 低位元组) B15~ B4 B 3 B 2 B 1 B 0 B 5 B 4 B 3 B 2 B 1 B 0 D 1 5 D 1 4 D 1 3 D 1 2 D 1 1 D 1 0 D 9 D 8 D 7 D 6 D 5 D 4 D 3 D 2 D 1 D 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 X 00 X 00 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 1 1 0 1 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 0 0 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 X 01 X 01 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 Table 5: : : : DDRAM资料(字元代码), 资料(字元代码), 资料(字元代码), 资料(字元代码),CGRAM位址以及 位址以及 位址以及 位址以及CGRAM资料(显示图像)的相互对照 资料(显示图像)的相互对照 资料(显示图像)的相互对照 资料(显示图像)的相互对照 关系图 关系图 关系图 关系图 附注: 1. DDRAM 资料(字元代码) 的位元 1 到2和CGRAM 位址的位元 4 到5同步吻合(2 位元:4 组图像). 2. CGRAM 位址的位元 0 到3指定字型图像的列位址,总共指定 16 列(4 位元),第16 列是游标的显示区域,游标 的显示和第 16 行的资料采用逻辑 OR 的方式产生显示结果. 3. 显示图像的横列图素对应到 CGRAM 资料的位元 0 到15 (位元 15 在最左边). 4. 选择到 CGRAM 的图像资料,DDRAM 资料的位元 4 到15 须设为 0,至於位元 0 及位元 3 则可为任意值. SYB12864K 6 ICON RAM 资料 资料 资料 资料 ICON RAM 位址 位址 位址 位址 在扩充指令集将 SR 设为"0",再利用设定 IRAM 位 址指令来设定 AC3….AC0 高位元组 高位元组 高位元组 高位元组 低位元组 低位元组 低位元组 低位元组 AC3 AC2 AC1 AC0 D15 D14 D13 D12 D11 D10 D9 D8 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 0 0 0 0 SEG0 SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 SEG9 SEG10 SEG11 SEG12 SEG13 SEG14 SEG15 0 0 0 1 SEG16 SEG17 SEG18 SEG19 SEG20 SEG21 SEG22 SEG23 SEG24 SEG25 SEG26 SEG27 SEG28 SEG29 SEG30 SEG31 0 0 1 0 SEG32 SEG33 SEG34 SEG35 SEG36 SEG37 SEG38 SEG39 SEG40 SEG41 SEG42 SEG43 SEG44 SEG45 SEG46 SEG47 0 0 1 1 SEG48 SEG49 SEG50 SEG51 SEG52 SEG53 SEG54 SEG55 SEG56 SEG57 SEG58 SEG59 SEG60 SEG61 SEG62 SEG63 0 1 0 0 SEG64 SEG65 SEG66 SEG67 SEG68 SEG69 SEG70 SEG71 SEG72 SEG73 SEG74 SEG75 SEG76 SEG77 SEG78 SEG79 0 1 0 1 SEG80 SEG81 SEG82 SEG83 SEG84 SEG85 SEG86 SEG87 SEG88 SEG89 SEG90 SEG91 SEG92 SEG93 SEG94 SEG95 0 1 1 0 SEG96 SEG97 SEG98 SEG99 SEG100 SEG101 SEG102 SEG103 SEG104 SEG105 SEG106 SEG107 SEG108 SEG109 SEG110 SEG111 0 1 1 1 SEG112 SEG113 SEG114 SEG115 SEG116 SEG117 SEG118 SEG119 SEG120 SEG121 SEG122 SEG123 SEG124 SEG125 SEG126 SEG127 1 0 0 0 SEG128 SEG129 SEG130 SEG131 SEG132 SEG133 SEG134 SEG135 SEG136 SEG137 SEG138 SEG139 SEG140 SEG141 SEG142 SEG143 1 0 0 1 SEG144 SEG145 SEG146 SEG147 SEG148 SEG149 SEG150 SEG151 SEG152 SEG153 SEG154 SEG155 SEG156 SEG157 SEG158 SEG159 1 0 1 0 SEG160 SEG161 SEG162 SEG163 SEG164 SEG165 SEG166 SEG167 SEG168 SEG169 SEG170 SEG171 SEG172 SEG173 SEG174 SEG175 1 0 1 1 SEG176 SEG177 SEG178 SEG179 SEG180 SEG181 SEG182 SEG183 SEG184 SEG185 SEG186 SEG187 SEG188 SEG189 SEG190 SEG191 1 1 0 0 SEG192 SEG193 SEG194 SEG195 SEG196 SEG197 SEG198 SEG199 SEG200 SEG201 SEG202 SEG203 SEG204 SEG205 SEG206 SEG207 1 1 0 1 SEG208 SEG209 SEG210 SEG211 SEG212 SEG213 SEG214 SEG215 SEG216 SEG217 SEG218 SEG219 SEG220 SEG221 SEG222 SEG223 1 1 1 0 SEG224 SEG225 SEG226 SEG227 SEG228 SEG229 SEG230 SEG231 SEG232 SEG233 SEG234 SEG235 SEG236 SEG237 SEG238 SEG239 1 1 1 1 Table 6 ICON RAM的位址,资料以及 的位址,资料以及 的位址,资料以及 的位址,资料以及Segment接脚的对应表 接脚的对应表 接脚的对应表 接脚的对应表 Table 7 16x8 半宽字型符号表 半宽字型符号表 半宽字型符号表 半宽字型符号表 SYB12864K 7 Table 8 GDRAM座标位 座标位 座标位 座标位址与资料排列顺序对照表 址与资料排列顺序对照表 址与资料排列顺序对照表 址与资料排列顺序对照表 GDRAM水平位址(X) GDRAM水平位址(X) GDRAM水平位址(X) GDRAM水平位址(X) G D R A M 垂直位址YGDRAM垂直位址YGDRAM垂直位址YGDRAM垂直位址Y000015 15 15 15 1 1 1 1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 b14 b15 b0 b13 SYB12864K 8 指令 指令 指令 指令 ST7920 提供两套控制命令,基本指令和扩充指令如?: 指令表 指令表 指令表 指令表 1: (RE=0: 基本指令集 基本指令集 基本指令集 基本指令集) 指令码 指令码 指令码 指令码 指令 指令 指令 指令 RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 说明 说明 说明 说明 执行时间 执行时间 执行时间 执行时间 (540KHZ) 清除显示 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 将DDRAM 填满 "20H",并且设定 DDRAM 的位址计数器 (AC)到"00H" 1.6 ms 位址归位 0 0 0 0 0 0 0 0 1 X 设定 DDRAM 的位址计数器(AC)到"00H",并且将游标 移到开头原点位置;这个指令并不改变 DDRAM 的内容 72us 进入点设定 0 0 0 0 0 0 0 1 I/D S 指定在资料的读取与写入时,设定游标的移动方向及指定 显示的移位 72us 显示状态 开/关0000001DCBD=1: 整体显示 ON C=1: 游标 ON B=1: 游标位置反白 ON 72 us 游标或显示 移位控制 0 0 0 0 0 1 S/C R/L X X 设定游标的移动与显示的移位控制位元;这个指令并不改 变DDRAM 的内容 72 us 功能设定 0 0 0 0 1 DL X 0 RE X X DL=1 8-BIT 控制介面 DL=0 4-BIT 控制介面 RE=1: 扩充指令集动作 扩充指令集动作 扩充指令集动作 扩充指令集动作 RE=0: 基本指令集动作 基本指令集动作 基本指令集动作 基本指令集动作 72 us 设定 CGRAM 位址 0 0 0 1 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 设定 CGRAM 位址到位址计数器(AC) 需确认扩充指令? 需确认扩充指令? 需确认扩充指令? 需确认扩充指令? SR=0 (卷动位址或 卷动位址或 卷动位址或 卷动位址或 RAM 位址选择 位址选择 位址选择 位址选择) 72 us 设定 DDRAM 位址 0 0 1 0 AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 设定 DDRAM 位址到位址计数器(AC) AC6 固定为 0 72 us 读取忙碌旗 标(BF)和 位址 0 1 BF AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 读取忙碌旗标(BF)可以确认内部动作是否完成,同时可 以读出位址计数器(AC)的值 0 us 写资料到 RAM 1 0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 写入资料到内部的 RAM (DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM) 72 us 读出 RAM 的值 1 1 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 从内部 RAM 读取资料 (DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM) 72 us SYB12864K 9 指令表 指令表 指令表 指令表 2: (RE=1: 扩充指令集 扩充指令集 扩充指令集 扩充指令集) 指令码 指令码 指令码 指令码 指令 指令 指令 指令 RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 说明 说明 说明 说明 执行时间 执行时间 执行时间 执行时间 (540KHZ) 待命模式 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 进入待命模式,,执行任何其他指令都可终止待命模式 (Com1..32 停止动作,只保留 Com33 ICON 显示) 72 us 卷动位址或 RAM 位址 选择 0 0 0 0 0 0 0 0 1 SR SR=1: 允许输入垂直卷动位址 SR=0: 允许输入 IRAM 位址(扩充指令 扩充指令 扩充指令 扩充指令) SR=0: 允许设定 CGRAM 位址(基本指令 基本指令 基本指令 基本指令) 72 us 反白选择 0 0 0 0 0 0 0 1 R1 R0 选择 4 行?的任?行作反白显示,并可决定反白与否 R1,R0 初值为 初值为 初值为 初值为 00 当第?次设定时为反白显示在?次设 当第?次设定时为反白显示在?次设 当第?次设定时为反白显示在?次设 当第?次设定时为反白显示在?次设 定时为正常显示 定时为正常显示 定时为正常显示 定时为正常显示 72 us 睡眠模式 0 0 0 0 0 0 1 SL X X SL=1: 脱离睡眠模式 SL=0: 进入睡眠模式 72 us 扩充 功能设定 0 0 0 0 1 DL X 1 RE G 0 DL=1 8-BIT 控制介面 DL=0 4-BIT 控制介面 RE=1: 扩充指令集动作 扩充指令集动作 扩充指令集动作 扩充指令集动作 RE=0: 基本指令集动作 基本指令集动作 基本指令集动作 基本指令集动作 G=1 :绘图显示 ON G=0 :绘图显示 OFF 72 us 设定 IRAM 位址 或卷动位址 0 0 0 1 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 SR=1: AC5~AC0 为垂直卷动位址 SR=0: AC3~AC0 为ICON RAM 位址 72 us 设定绘图 RAM 位址 0 0 1 0 AC6 0 AC5 0 AC4 AC3 AC3 AC2 AC2 AC1 AC1 AC0 AC0 设定 GDRAM 位址到位址计数器(AC) 先设垂直位址再设水平位址(连续写入两个位元组的资料来 完成垂直与水平的座标位址) 垂直位址範围 AC6...AC0 水平位址範围 AC3…AC0 72 us 备注: 备注: 备注: 备注: 1. 当ST7920 在接受指令前,微处理器必须先确认 ST7920 内部处於非忙碌状态,即读取 BF 旗标时 BF 需为 0,方可 接受新的指令;如果在送出?个指令前并不检查 BF 旗标,那麽在前?个指令和这个指令?间必须延迟?段较长的 时间,即是等待前?个指令确实执行完成,指令执行的时间请参考指令表?的个别指令说明. 2. "RE"为基本指令集与扩充指令集的选择控制位元,当变更"RE"位元后,往后的指令集将维持在最后的状态, 除非再次变更"RE"位元,否则使用相同的指令集时,不需每次重设"RE"位元. SYB12864K 10 指令集初始值 指令集初始值 指令集初始值 指令集初始值(Register flag) (RE=0: 基本指令集 基本指令集 基本指令集 基本指令集) 指令码 指令码 指令码 指令码 指令 指令 指令 指令 RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 说明 说明 说明 说明 0 0 0 0 0 0 0 1 I/D S 进入点设定 1 0 游标右移,DDRAM 位址计数器(AC)加10000001DCB显示状态 开/关000控制整体显示,游标,游标位置反白 ALL OFF 0 0 0 0 0 1 S/C R/L X X 游标或显示 移位控制 X X 无游标与显示移位动作 0 0 0 0 1 DL X 0 RE X X 功能设定 1 0 8 BIT MPU 控制界面 , 基本指令集动作 指令集初始值 指令集初始值 指令集初始值 指令集初始值(Register flag) (RE=1: 扩充指令集 扩充指令集 扩充指令集 扩充指令集) 指令码 指令码 指令码 指令码 指令 指令 指令 指令 RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 说明 说明 说明 说明 0 0 0 0 0 0 0 0 1 SR 卷动位址或 RAM 位址 选择 0 允许输入 IRAM 位址 or 设定 CGRAM 位址 0 0 0 0 0 0 0 1 R1 R0 反白选择 0 0 当第?次设定时为反白显示再?次设定时为正常显示 0 0 0 0 0 0 1 SL X X 睡眠模式 0 未进入待命模式 0 0 0 0 1 DL X 1 RE G 0 扩充 功能设定 0 绘图显示 OFF SYB12864K 11 基本 基本 基本 基本指令集说明 指令集说明 指令集说明 指令集说明 z z z z 清除显示 清除显示 清除显示 清除显示 将DDRAM 填满 "20H"(space code), 并且设定 DDRAM 的位址计数器 (AC) 到"00H",重设进入点设定将 I/D 设为 "1" 游标右移 AC 加1zzzz位址归位 位址归位 位址归位 位址归位 设定 DDRAM 的位址计数器(AC)到"00H",并且将游标移到开头原点位置;这个指令并不改变 DDRAM 的内容 z z z z 进入点设定 进入点设定 进入点设定 进入点设定 指定在资料的读取与写入时,设定游标的移动方向及指定显示的移位 I/D :位址计数器递增递减选择 位址计数器递增递减选择 位址计数器递增递减选择 位址计数器递增递减选择 当I/D = "1", 游标右移,DDRAM 位址计数器(AC)加1当I/D = "0", 游标左移,DDRAM 位址计数器(AC)减1S: 显示画面整体位移 显示画面整体位移 显示画面整体位移 显示画面整体位移 S I/D DESCRIPTION H H 画面整体左移 H L 画面整体右移 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 Code Code Code RS RS RS RW RW RW DB7 DB7 DB7 DB6 DB6 DB6 DB5 DB5 DB5 DB4 DB4 DB4 DB1 DB1 DB1 DB2 DB2 DB2 DB3 DB3 DB3 0 1 I/D 1 x S DB0 DB0 DB0 SYB12864K 12 z z z z 显示状态开关 显示状态开关 显示状态开关 显示状态开关 控制整体显示,游标,游标位置反白 ON/OFF D : 整体显示 整体显示 整体显示 整体显示 ON/OFF 控制位元 控制位元 控制位元 控制位元 当D="1",整体显示 ON 当D="0",整体显示 OFF ,但不改变 DDRAM 的内容 C : 游标 游标 游标 游标 ON/OFF 控制位元 控制位元 控制位元 控制位元 当C="1",游标显示 ON. 当C="0",游标显示 OFF. B : 游标位置反白 游标位置反白 游标位置反白 游标位置反白 ON/OFF 控制位元 控制位元 控制位元 控制位元 当B="1",游标位置显示反白 ON,将游标所在之位址?的资料反白显示. 当B="0", .游标位置显示反白 OFF z z z z 游标或显示移位控制 游标或显示移位控制 游标或显示移位控制 游标或显示移位控制 设定游标的移动与显示的移位控制位元;这个指令并不改变 DDRAM 的内容 S/C R/L Description AC Value L L 游标向左移动 AC=AC-1 L H 游标向右移动 AC=AC+1 H L 显示(display)向左移动,且游标跟这移动 AC=AC H H 显示(display)向右移动,且游标跟这移动 AC=AC 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 S/C D R/L Code Code RS RS RW RW DB7 DB7 DB6 DB6 DB5 DB5 DB4 DB4 DB1 DB1 DB2 DB2 DB3 DB3 C x B x DB0 DB0 SYB12864K 13 z z z z 功能设定 功能设定 功能设定 功能设定 DL : 4/8 BIT 界面控制位元 界面控制位元 界面控制位元 界面控制位元 当DL = "1", 为8BIT MPU 控制界面 当DL = "0", 为4BIT MPU 控制界面 RE : 指令集选择控制位元 指令集选择控制位元 指令集选择控制位元 指令集选择控制位元 当RE = "1", 为扩充指令集动作 当RE = "0", 为基本指令集动作 同?指令之动作不可同时改变 同?指令之动作不可同时改变 同?指令之动作不可同时改变 同?指令之动作不可同时改变 RE 及及及及DL 需先改变 需先改变 需先改变 需先改变 DL 后在改变 后在改变 后在改变 后在改变 RE 才可确保 才可确保 才可确保 才可确保 FLAG 正确设定 正确设定 正确设定 正确设定 z z z z 设定 设定 设定 设定 CGRAM 位址 位址 位址 位址 设定 CGRAM 位址到位址计数器(AC) AC 範围为 00H..3FH 需确认扩充指令? 需确认扩充指令? 需确认扩充指令? 需确认扩充指令? SR=0 (卷动位址或 卷动位址或 卷动位址或 卷动位址或 RAM 位址选择 位址选择 位址选择 位址选择) z z z z 设定 设定 设定 设定 DDRAM 位址 位址 位址 位址 设定 DDRAM 位址到位址计数器(AC). 第?行AC 範围为 80H..8FH 第?行AC 範围为 90H..9FH 第?行AC 範围为 A0H..AFH 第?行AC 範围为 B0H..BFH z 读取忙碌旗标( 读取忙碌旗标( 读取忙碌旗标( 读取忙碌旗标(BF)和位址 )和位址 )和位址 )和位址 读取忙碌旗标(BF)可以确认内部动作是否完成,同时可以读出位址计数器(AC)的值 0 0 0 0 1 DL X RE Code RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB1 DB2 DB3 x x DB0 0 0 0 1 AC5 AC4 AC3 AC2 Code RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB1 DB2 DB3 AC1 AC0 DB0 0 0 1 AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 Code RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB1 DB2 DB3 AC1 AC0 DB0 0 1 BF AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 Code RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB1 DB2 DB3 AC1 AC0 DB0 SYB12864K 14 当BF = "1", 表示内部忙碌?此时不可?指令需等 BF = "0"才可?新指令. z z z z 写入资料到 写入资料到 写入资料到 写入资料到 RAM 写入资料到内部的 RAM 当写入后會使 (AC) 改变 每个 RAM 位址(CGRAM,DDRAM,IRAM…..)都可连续写入两个位元组的资料(2-Bytes)当写入第? BYTE 时位 址计数器(AC)的值就會自动加? z z z z 读取 读取 读取 读取 RAM 的值 的值 的值 的值 从内部的 RAM 读取资料, 当读取后會使 (AC) 改变 当?设定位址指令后(CGRAM,DDRAM,IRAM…..)若要读取资料时需先 DUMMY READ ?次才會读取到正确资料 第?次读取时则不需 DUMMY READ 除非又?设定位址指令才需再次 DUMMY READ. 1 1 0 1 D7 D7 D6 D6 D5 D5 D4 D4 D3 D3 D2 D2 Code Code RS RS RW RW DB7 DB7 DB6 DB6 DB5 DB5 DB4 DB4 DB1 DB1 DB2 DB2 DB3 DB3 D1 D1 D0 D0 DB0 DB0 SYB12864K 15 扩充指令集说明 扩充指令集说明 扩充指令集说明 扩充指令集说明 z z z z 待命模式 待命模式 待命模式 待命模式 进入待命模式,,执行任何其他指令都可终止待命模式;这个指令并不改变 RAM 的内容 z z z z 卷动位址或 卷动位址或 卷动位址或 卷动位址或 RAM 位址选择 位址选择 位址选择 位址选择 当SR = "1",允许输入垂直卷动位址 当SR = "0",允许输入 IRAM 位址(扩充指令 扩充指令 扩充指令 扩充指令)及允许设定 CGRAM 位址(基本指令 基本指令 基本指令 基本指令) z z z z 反白选择 反白选择 反白选择 反白选择 选择 4 行?的任?行作反白显示,并可决定反白与否 R1,R0 初值为 00 当第?次设定时为反白显示再?次设定时为正常显示 R1 R0 Description L L 第?行反白或正常显示 L H 第?行反白或正常显示 H L 第?行反白或正常显示 H H 第?行反白或正常显示 z z z z 睡眠模式 睡眠模式 睡眠模式 睡眠模式 SL=1: 脱离睡眠模式 SL=0: 进入睡眠模式 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 SL Code Code Code Code RS RS RS RS RW RW RW RW DB7 DB7 DB7 DB7 DB6 DB6 DB6 DB6 DB5 DB5 DB5 DB5 DB4 DB4 DB4 DB4 DB1 DB1 DB1 DB1 DB2 DB2 DB2 DB2 DB3 DB3 DB3 DB3 0 1 R1 0 1 SR R0 0 DB0 DB0 DB0 DB0 SYB12864K 16 z z z z 扩充功能设定 扩充功能设定 扩充功能设定 扩充功能设定 DL : 4/8 BIT 界面控制位元 界面控制位元 界面控制位元 界面控制位元 当DL = "1", 为8BIT MPU 控制界面 当DL = "0", 为4BIT MPU 控制界面 RE : 指令集选择控制位元 指令集选择控制位元 指令集选择控制位元 指令集选择控制位元 当RE = "1", 为扩充指令集动作 当RE = "0", 为基本指令集动作 G : 绘图显示控制位元 绘图显示控制位元 绘图显示控制位元 绘图显示控制位元 当G="1", 绘图显示 ON 当G="0", 绘图显示 OFF 同?指令之动作不可同时改变 同?指令之动作不可同时改变 同?指令之动作不可同时改变 同?指令之动作不可同时改变 RE 及及及及DL, G 需先改变 需先改变 需先改变 需先改变 DL 或或或或G后在改变 后在改变 后在改变 后在改变 RE 才可确保 才可确保 才可确保 才可确保 FLAG 正确设定 正确设定 正确设定 正确设定 z z z z 设定 设定 设定 设定 IRAM 位址或卷动位址 位址或卷动位址 位址或卷动位址 位址或卷动位址 SR=1: AC5~AC0 为垂直卷动位址 SR=0: AC3~AC0 为ICON RAM 位址 z z z z 设定绘图 设定绘图 设定绘图 设定绘图 RAM 位址 位址 位址 位址 设定 GDRAM 位址到位址计数器(AC) 先设垂直位址再设水平位址(连续写入两个位元组的资料来完成垂直与水平的座标位址) 垂直位址範围 AC6...AC0 水平位址範围 AC3…AC0 绘图 RAM 之位址计数器(AC)只會对水平位址(X 轴)自动加?,当水平位址=0FH 时會重新设为 00H 但并不會对垂直位 址做进位自动加?故当连续写入多笔资料时程式需自行判断垂直位址是否需重新设定 0 0 0 0 1 DL x RE Code RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB1 DB2 DB3 G x DB0 0 0 1 AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 Code RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB1 DB2 DB3 AC1 AC0 DB0 0 0 0 1 AC5 AC4 AC3 AC2 Code RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB1 DB2 DB3 AC1 AC0 DB0 SYB12864K 17 并列介面资料传输讯号 并列介面资料传输讯号 并列介面资料传输讯号 并列介面资料传输讯号 当PSB脚接高电位时,ST7920将进入并列模式,在并列模式?可由指令 DL FLAG 来选择8-位元或4-位元介面,主控制 系统将配合( RS , RW , E , DB0..DB7 )来达成传输动作. 从?个完整的流程来看,当?设定位址指令后(CGRAM,DDRAM,IRAM…..)若要读取资料时需先 DUMMY READ ?次 才會读取到正确资料第?次读取时则不需 DUMMY READ 除非又?设定位址指令才需再次 DUMMY READ. 在4-位元传输模式?,每?个八位元的指令或资料都将被分为两个位元组动作:较高4位元(DB7~DB4)的资料将會被 放在第?个位元组的(DB7~DB4)部分,而较低4位元(DB3~DB0)的资料则會被放在第?个位元组的(DB7~DB4) 部分,至於相关的另?位元则在4-位元传输模式?DB3~DB0介面未使用. 相关介面传输讯号请参考?图说明: DB0-DB7 R/W RS E Dummy Instruction RAM Timing Diagram of 8-bit Parallel Bus Mode Data Transfer DB0-DB7 R/W RS E Dummy RAM Timing Diagram of 4-bit Parallel Bus Mode Data Transfer Instruction 4-bit 4-bit 4-bit 4-bit 4-bit 4-bit Upper Low Upper Low Upper Low SYB12864K 18 串列介面与串列传输资料 串列介面与串列传输资料 串列介面与串列传输资料 串列介面与串列传输资料 当PSB脚接低电位时,ST7920将进入串列模式,在串列模式?将使用两条资料传输线作串列资料的传送,主控制系统将 配合传输同步时脉线(SCLK)与接收串列资料线(SID),来达成串列传输的动作. 当需要同时连接数颗ST7920晶片时,晶片选择脚(CS)将要被配合使用,在晶片选择脚(CS)设为高电位时,同步时 脉线(SCLK)输入的讯号才會被接收,另?方面,当晶片选择脚(CS)设为低电位时,ST7920的内部串列传输计数与 串列资料将會被重置,也就是说在此状态?,传输?的资料将被终止清除,并且将待传输的串列资料计数重设回第?位元;在?个最小的系统架构?,由?个微处理器连接控制单?个ST7920晶片时,相关的连接介面只需要使用同步时脉线 (SCLK)与接收串列资料线(SID)两只脚,在这个模式?晶片选择脚(CS)将被固定接到高电位. ST7920的同步时脉线(SCLK)具有独立的操作时脉,但是当有连续多个指令需要被传送时,指令执行的时间将需要被 考虑,必须确实等到前?个指令完全执行完成才能传送??笔资料,因为ST7920内部并没有传送/接收缓冲区. 从?个完整的串列传输流程来看,?开始先传输启始位元组,它需先接收到五个连续的〝1〞(同步位元字串)在启始 位元组,此时传输计数将被重置并且串列传输将被同步,再跟随的两个位元字串分别指定传输方向位元(RW)及暂存 器选择位元(RS),最后第八的位元则为〝0〞. 在接收到同步位元及RW和RS资料的启始位元组后,每?个八位元的指令将被分为两个位元组接收到:较高4位元 (DB7~DB4)的指令资料将會被放在第?个位元组的LSB部分,而较低4位元(DB3~DB0)的指令资料则會被放在第? 个位元组的LSB部分,至於相关的另?位元则都为0. 串列传输讯号请参考?图说明: 1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 1 1 1 1 1 RW RS 0 D7 D6 D5 D4 0 0 0 0 0 0 0 0 D3 D2 D1 D0 CS SCLK SID Synchronizing Bit string Higher data Lower data 3 1st byte 2nd byte Timing Diagram of Serial Mode Data Transfer ST7920---12864 19 并口测试程序 ; CHARACTER TYPE MODULE TEST PROGRAM ; CPU 89C51 OSC=6MHZ ; RS EQU P2.0 OR A0 ; R/W EQU P2.1 OR P2.0 ; E EQU /(/WR*/RD) ; D0~D7 EQU P0.0~P0.7 ;12864 实际上是 25632 COMW EQU 0000H ;COMWMAND WRITE ADDRESS COMR EQU 0200H ;0000 0010 0000 0000 DAT EQU 0101H ;DATAADDRESS DATR EQU 0300H ;DATA READ ADDRESS DDRAM EQU 40H TEST EQU 1EH Y_V EQU 1DH KEY EQU P3.4 ; TAB_BMP1 EQU 0300H TAB_BMP2 EQU 0740H TAB_BMP3 EQU 0B80H ORG 0000H AJMP MAIN ORG 0030H MAIN: MOV SP,#70H LCALL DEL_10MS LCALL DEL_10MS MOV TEST,#00 LOOP: LCALL INTI MOV DPTR,#TAB_HZ1 LCALL DP_LINE_HZ MOV DPTR,#COMW MOV A,#90H ;1001 0000 设定 CGRAM 位址 LCALL RFG MOVX @DPTR,A MOV DPTR,#TAB_HZ2 LCALL DP_LINE_HZ LCALL DEL_1S MOV DPTR,#TAB_BMP1 LCALL BMP 20 LCALL DEL_1S LCALL BMP_BLACK LCALL DEL_1S MOV DPTR,#TAB_BMP2 LCALL BMP LCALL DEL_1S MOV DPTR,#TAB_BMP3 LCALL BMP LCALL DEL_1S LJMP MAIN DP_HZ: CLR A MOVC A,@A+DPTR INC DPTR PUSH DPL PUSH DPH MOV DPTR,#DAT LCALL RFG MOVX @DPTR,A POP DPH POP DPL CLR A MOVC A,@A+DPTR INC DPTR PUSH DPL PUSH DPH MOV DPTR,#DAT LCALL RFG MOVX @DPTR,A POP DPH POP DPL RET DP_LINE_HZ: MOV R7,#32 NT_HZ: CLR A MOVC A,@A+DPTR INC DPTR PUSH DPL PUSH DPH MOV DPTR,#DAT 21 LCALL RFG MOVX @DPTR,A POP DPH POP DPL DJNZ R7,NT_HZ RET BMP: PUSH DPL PUSH DPH MOV R7,#64 ;(128x64)/(16x8)=64 MOV A,#80H ;SET DDRAM DISPLAY HCGROM MOV DPTR,#COMW LCALL RFG MOVX @DPTR,A MOV A,#20H ;20 号=空白字符 MOV DPTR,#DAT CLS: LCALL RFG MOVX @DPTR,A DJNZ R7,CLS ;CLR LCD MOV DPTR,#COMW MOV A,#34H ;0011 0100 8-BIT 控制 扩充指令 LCALL RFG MOVX @DPTR,A MOV A,#36H ;0011 0110 8-BIT 扩充指令 绘图 ON LCALL RFG MOVX @DPTR,A MOV Y_V,#80H MOV R6,#32 NEXT_LINE1: MOV R7,#32 MOV A,Y_V;#80H;YYY LCALL RFG MOV DPTR,#COMW MOVX @DPTR,A MOV A,#80H ;1000 0000 设定绘图 GDRAM 地址到计数器 AC LCALL RFG MOVX @DPTR,A NEXT_LINE: POP DPH POP DPL MOV A,#00H 22 MOVC A,@A+DPTR INC DPTR PUSH DPL PUSH DPH MOV DPTR,#DAT LCALL RFG MOVX @DPTR,A DJNZ R7,NEXT_LINE INC Y_V DJNZ R6,NEXT_LINE1 POP DPH POP DPL RET BMP_BLACK: PUSH DPL PUSH DPH MOV R7,#64 MOV A,#80H ;SET GDRAM MOV DPTR,#COMW LCALL RFG MOVX @DPTR,A MOV A,#20H ;CLR LCD MOV DPTR,#DAT CLS1: LCALL RFG MOVX @DPTR,A DJNZ R7,CLS1 MOV DPTR,#COMW MOV A,#34H ;0011 0100 扩充指令(分两次指令) LCALL RFG MOVX @DPTR,A MOV A,#36H ;0011 0110 绘图显示 ON LCALL RFG MOVX @DPTR,A MOV Y_V,#80H MOV R6,#32 NEXT_LINE3: MOV R7,#32 MOV A,Y_V;#80H;YYY LCALL RFG MOV DPTR,#COMW MOVX @DPTR,A 23 MOV A,#80H LCALL RFG MOVX @DPTR,A NEXT_LINE2: POP DPH POP DPL MOV A,#0FFH ;MOVC A,@A+DPTR ;INC DPTR PUSH DPL PUSH DPH MOV DPTR,#DAT LCALL RFG MOVX @DPTR,A DJNZ R7,NEXT_LINE2 INC Y_V DJNZ R6,NEXT_LINE3 POP DPH POP DPL RET DEL_1S: MOV R7,#10D DEL2: MOV R6,#200D DEL1: MOV R5,#200D DEL0: JB KEY,DEGO LJMP RKEY DEGO: DJNZ R5,DEL0 DJNZ R6,DEL1 DJNZ R7,DEL2 RET RKEY: LCALL DEL_10MS JB KEY,DEGO HERR: JNB KEY,HERR LCALL DEL_10MS JNB KEY,HERR RET DEL_10MS: MOV R4,#10D DD2: MOV R3,#250D DD1: NOP NOP 24 NOP DJNZ R3,DD1 DJNZ R4,DD2 RET INTI: MOV DPTR,#COMW LCALL DEL_10MS LCALL DEL_10MS MOV A,#30H;01H ;0011 0000 MOVX @DPTR,A LCALL RFG LCALL DEL_10MS MOV A,#30H;01H ;0011 0000 8-BIT 控制 基本指令 MOVX @DPTR,A LCALL RFG MOV A,#0CH ;0000 1100 整体显示 ON MOVX @DPTR,A LCALL RFG MOV A,#01H ;0000 0001 清除显示 DDRAM all->20H MOVX @DPTR,A LCALL RFG MOV A,#06H ;0000 0110 进入点设定 MOVX @DPTR,A LCALL RFG RET RFG: PUSH ACC PUSH DPL PUSH DPH MOV DPTR,#COMR RFGO: MOVX A,@DPTR JB ACC.7,RFGO POP DPH POP DPL POP ACC RET ORG 200H TAB_HZ1: DB "七黄河远上白云间绝羌笛何须怨杨柳" TAB_HZ2: DB "言一片孤城万仞山句春风不渡玉门关" TAB_BMP1: 25 ;-- 调入了一幅图像:D:\汇编程序\7920\25632.bmp -- ;-- 宽度 x 高度=256x32 -- DB 0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH, DB 0A0H,020H,000H,01FH,06FH,0BCH,007H,0A5H,0BFH,0FCH,009H,09FH,0F0H,000H,000H,005H, DB 080H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,000H,001H, DB 0A2H,024H,000H,01FH,0EFH,0ECH,002H,030H,0DFH,0FFH,088H,0CFH,0F0H,000H,040H,005H, DB 0BFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FFH,0FDH, DB 0A1H,024H,000H,01FH,0FFH,0C0H,040H,010H,0FFH,0FFH,0F8H,047H,0F0H,000H,040H,005H, DB 0A2H,000H,000H,000H,000H,03CH,000H,000H,00DH,0FFH,000H,000H,000H,000H,000H,045H, DB 0A1H,028H,000H,03FH,0FFH,080H,040H,01CH,07FH,0FFH,0FCH,067H,0F0H,007H,0FCH,005H, DB 0A4H,000H,000H,000H,007H,0FFH,000H,000H,000H,0FFH,0E0H,000H,000H,000H,000H,025H, DB 0A0H,020H,000H,03FH,0FFH,01CH,000H,03FH,07FH,0FFH,0FEH,033H,0E0H,004H,044H,005H, DB 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400mA 需逆变器 注:以上参数仅作参考,不同型号的背光会有所不同. 27 附录 2: 注意事项: 十分感谢您购买我公司的产品,在使用前请您首先仔细阅读以下注意事项,以免给您造成不必要的损 失,您在使用过程中遇到困难时,请拨打我们的服务电话,我们将尽力为您提供服务和帮助. 1. 处理保护膜 在装好的模块成品表面贴有一层保护膜,以防在装配时沾污显示表面,在整机装配结束前不得撕去, 以免弄脏或损坏表面. 2. 加装衬垫 在模块和前面板之间最好加装一块约 0.1 毫米左右的衬垫.面板还应保持平整,以免在装配后产生扭 曲,并可提高其抗振性能. 3. 严防静电 模块中的控制、驱动电压是很低、微功耗的 CMOS 电路,极易被静电击穿,静电击穿是一种不可修复 的损坏,而人体有时会产生高达几十伏或上百伏的静电,所以,在操作、装配以及使用中都应极其小心, 严防静电.为此: (1) 不要用手随意去摸外引线、电路板上的电路及金属框. (2) 如必须直接接触时,应使人体与模块保持在同一电位,或使人体良好接地. (3) 焊接使用的烙铁及装配使用的电动工具必须良好接地,没有漏电. (4) 不得使用真空吸尘器进行清洁处理,因为它会产生很强的静电. (5) 空气干燥也会产生静电,因此,工作间湿度应在 RH60%以上. (6) 取出或放回包装袋或移动位置时,也需小心,防止产生静电.不要随意更换包装或舍弃原包 装. 4. 装配操作时的注意事项 (1) 模块是经过精心设计组装而成的,请勿随意自行加工、修整. (2) 金属框爪不得随意扭动、拆卸. (3) 不要随意修改加工 PCB 板外形、装配孔、线路及其部件. (4) 不得修改导电胶条. (5) 不得修改任何内部支架. (6) 不要碰、摔、折曲、扭动模块. 5. 焊接 在焊接外引线时,应按如下规程进行操作. (1) 烙铁头温度小于 280 度. (2) 焊接时间不超过 4 秒. (3) 焊接材料:共晶型、低熔点. (4) 不要使用酸性助焊剂. 28 (5) 重复焊接不要超过三次,且每次重复需间隔 5 分钟. 6. 模块的使用与保养 (1) 模块的外引线决不允许接错,在您想调试液晶模块时,请注意正确接线,尤其是正负电源的 接线不能接错,否则可能造成过流、过压烧电路上的芯片等对液晶模块元器件有损的现象. (2) 模块在使用时,接入电源及断开电源,必须在正电源稳定接入以后才能输入信号电平.如在 电源稳定前或断开后输入信号电平,有可能损坏模块中的 IC 及电路. (3) 点阵液晶模块显示时的对比度、视角与温度、驱动电压的关系很大,所以,如果驱动电压过 高,不仅会影响显示效果,还会缩短模块的使用寿命. (4) 因为液晶材料的物理特性,液晶的的对比度会随温度的变化而相应变化,所以,您加的负压 也应随温度作相应调整.大致是温度变化 10 度,电压变化 1 伏.为满足这一要求,您可以做 一个温度补偿电路,或者安排一个电位器,随温度调整负电压值. (5) 不应在规定工作温度范围外使用,并且不应在超过存储极限温度的范围外存储.如果温度低 于结晶温度,液晶就会结晶,如果温度过高,液晶将变成各向同性的液晶,破坏分子取向, 使器件报废. (6) 用力按显示部分,会产生异常显示.这时切断电源,稍待片刻重新上电,即恢复正常. (7) 液晶显示器件或模块表面结雾时,不要通电工作,因为这将引起电极化学反应,产生断线. (8) 长期用于阳光及强光下时,被遮部分会产生残留现象. 7. 模块的存储 若长期(如几年以上)存储,我们推荐以下方式: (1) 装入聚乙稀口袋(最好有防静电涂层)并将口封住 (2) 在-10°C --- +35°C 之间存储. (3) 放在暗处,避强光. (4) 决不能在表面压放任何物品. (5) 严格避免在极限温度/湿度条件下存放. 8. 有限责任和保修 如果三元和客户没有发生任何协议,三元将从发货日期算起一年内依据三元液晶显示模块接受标准 (按要求提供复印件)更换或修理功能性故障的液晶显示模块. 外观/视觉毛病必须从发货日计起 90 天内送返三元,日期的确认将根据货运文件.三元保证的责任限 于上述提及项目的维修和更换,三元不对突发性事件负责任. 保修是以上述注意事项未被忽视为先决条件的,典型的违反例子如下: (1)断裂的液晶显示屏玻璃. (2)线路板孔修改或损坏. (3)线路板布线损坏. (4)电路修改,包括元件的增加. (5)线路板随意研磨、雕刻或油漆. (6)焊接或更改玻璃框. 模块维修将基于双方协议下列出给顾客的清单.模块必须与防静电包装和故障详细陈述一起送回.顾 客安装的连接器或电缆必须在不破坏线路板孔,线路和引线端条件下全部移去.