Hi3518EDMEB 用户指南 文档版本 00B01 发布日期 2014-02-28 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 2014.保留一切权利. 非经本公司书面许可,任何单位和个人不得擅自摘抄、复制本文档内容的部分或全部,并不得以任 何形式传播. 商标声明 、 、海思和其他海思商标均为深圳市海思半导体有限公司的商标. 本文档提及的其他所有商标或注册商标,由各自的所有人拥有. 注意 您购买的产品、服务或特性等应受海思公司商业合同和条款的约束,本文档中描述的全部或部分产 品、服务或特性可能不在您的购买或使用范围之内.除非合同另有约定,海思公司对本文档内容不 做任何明示或默示的声明或保证. 由于产品版本升级或其他原因,本文档内容会不定期进行更新.除非另有约定,本文档仅作为使用 指导,本文档中的所有陈述、信息和建议不构成任何明示或暗示的担保. 深圳市海思半导体有限公司 地址: 深圳市龙岗区坂田华为基地 D 区 邮编:518129 网址: http://www.hisilicon.com 客户服务电话: +86-755-28788858 客户服务传真: +86-755-28357515 客户服务邮箱: support@hisilicon.com Hi3518EDMEB 用户指南 前言文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 i 前言概述 本文档主要介绍 Hi3518EDMEB 基本功能特点和硬件特性、多功能硬件配置、软件调 试操作使用方法. 产品版本 与本文档相对应的产品版本如下. 产品名称 产品版本 Hi3518E 芯片 V100 读者对象 本文档(本指南)主要适用于以下工程师: z 技术支持工程师 z 单板硬件开发工程师 修订记录 修订记录累积了每次文档更新的说明.最新版本的文档包含以前所有文档版本的更新 内容. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 第1次发布. Hi3518EDMEB 用户指南 目录文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 ii 目录前言.i 1 概述.1 1.1 简介.1 1.2 功能特性.1 1.3 产品交付件清单.2 1.4 相关组件.2 2 硬件介绍.3 2.1 结构与接口.3 2.2 GPIO 的分配 6 2.3 I2 C 地址 8 2.4 单板多功能操作补充说明.8 3 操作指南.9 3.1 注意事项.9 3.2 单板设置.9 3.3 Sensor 板和 DMEB 对接使用指南.11 Hi3518EDMEB 用户指南 插图目录 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 iii 插图目录 图2-1 Hi3518E 核心板的接口结构示意图 3 图2-2 Hi3518 外围板的对外接口结构示意图.4 图2-3 Hi3518E 核心板和外围板对接示意图 6 图3-1 Hi3518EDMEB 的sensor 接口电平选择示意图.11 Hi3518EDMEB 用户指南 表格目录 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 iv 表格目录 表1-1 Hi3518EDMEB 存储器参数表.2 表2-1 Hi3518 外围板外部接口说明.4 表2-2 Hi3518E Demo 单板中的 GPIO 分配 6 表2-3 MII 和RMII 模式配置 8 表3-1 Hi3518EDMEB 拨码开关设置表.10 表3-2 启动模式的配置 11 Hi3518EDMEB 用户指南 1 概述 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 1 1 概述 1.1 简介 Hi3518EDMEB 是针对海思 Hi3518E 媒体处理芯片开发的演示评估板,用于给客户展示 Hi3518E 芯片强大的多媒体功能和丰富的外围接口,同时为客户提供基于 Hi3518E 芯 片的硬件参考设计,使客户只需要简单修改 Hi3518EDMEB 上的模块电路,就可以完 成产品的硬件开发. Hi3518EDMEB 通过串口和网口线与开发 PC 连接,可以作为一个基本开发系统使用, 或实现更完全的开发系统或演示环境,此时连接如下设备或部件: z 电视机或监视器 z Sensor 板z音频源及音箱 z USB 2.0 device 设备 z RealView -ICE 仿真器 z U 盘、SD Card 等存储设备 海思公司提供成熟的 Hi-Boot 程序(即U-Boot),可以脱离仿真器,通过网络 TFTP 的方式进行 软件调试. 1.2 功能特性 Hi3518EDMEB 具有以下功能特性: z Hi3518E 提供一个视频捕获接口,支持视频 RAW DATA 数据输入,位宽最高 12bit,接口频率可达 74.25MHz. z 支持 1 路HDMI 输出. z 1 个RJ45 网络接口,支持 10/100/Mbit/s 全双工或半双工模式;支持 EEE 能效以 太网. z 支持 1 个USB host 2.0 高速设备接口. z 支持 1 个RS232 标准串口,1200~115200bit/s 波特率;支持 2 路RS485 接口. Hi3518EDMEB 用户指南 1 概述 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 2 z 支持 IR 红外接收接口. z 支持 SD 卡. Hi3518EDMEB 支持的存储器参数如表 1-1 所示. 表1-1 Hi3518EDMEB 存储器参数表 存储器 数据位宽 频率 容量 SPI NOR Flash 1-2-4bit - 16MB 1.3 产品交付件清单 Hi3518EDMEB 交付件主要包括以下物品: z Hi3518E 核心板:Hi3518EDMEB. z Hi3518 外围板:Hi3518PERB. z 电源适配器,规格:输入 100V AC~240V AC,50Hz;输出 12V DC,2A. z OV9712 sensor 板1块. Hi3518E 核心板和外围板之间通过连接器相互扣接. 注:Hi3518E 与Hi3518A/Hi3518C 核心板共用 Hi3518 外围板,但在使用 Hi3518E 时,需要将底板 DDR 部分的 1.5V 电源修改为 1.8V. 1.4 相关组件 以下所列组件不包含在 Hi3518EDMEB 的包装之内,但它们是用户程序调试过程中的 必备组件,请自备. z 网线 z 电视机、音响和摄像头等音视频接收设备 z 串口线 Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 3 2 硬件介绍 2.1 结构与接口 Hi3518E 核心板的接口示意图如图 2-1 所示.其中黄线圈内的器件为 Hi3518E 核心板 与外围板对接的连接器. 图2-1 Hi3518E 核心板的接口结构示意图 Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 4 Hi3518E 和Hi3518A、Hi3518C 核心板共用 Hi3518 外围板(Hi3518E 使用外围板时, 需要将底板上 1.5V 的电源修改为 1.8V) ,Hi3518 外围板的对外接口结构示意如图 2-2 所示. 图2-2 Hi3518 外围板的对外接口结构示意图 图2-2 中的各接口说明如表 2-1 所示. 表2-1 Hi3518 外围板外部接口说明 序号 说明 1 60pin sensor 连接器,主要用于对接松下和索尼的 sensor demo 板240pin FPC 排线连接器,海思自定义的 sensor 板连接器接口 3 32pin sensor 连接器,主要用于 OV 的sensor demo 板45V0 电源插座 Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 5 序号 说明 5 红外接收头 6 UART1 RS485 接口 7 UART0 调试串口 8 UART2 RS485 接口 9 CVBS 接口 10 MIC IN 接口 11 LINE IN 接口 12 LINE OUT 接口 13 USB 接口 14 HDMI 接口 15 网口 16 12V0 电源适配器插口 17 单板开关 18 SD 卡19 AI 调试接口 20 拨码开关 SW1 21 拨码开关 SW2 22 拨码开关 SW3 23 26pin sensor 连接器,主要用于对接 aptina 的sensor demo 板24 Hi3518E 芯片 JTAG 口25 CPLD JTAG 口26 复位按钮 27 外围板与 Hi3518E 核心板对接的连接器 注:单板上的拨码开关操作请参考表 3-1. HI3518E 核心板和外围板对接示意图如图 2-3 所示.将Hi3518E 核心板的 U 形标记(图2-3 中的左图里黄色圈标识)对准 Hi3518 外围板的 U 形标记放置(图2-3 中的右图里黄 色圈标识). Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 6 图2-3 Hi3518E 核心板和外围板对接示意图 2.2 GPIO 的分配 Hi3518E Demo 单板中的 GPIO 分配如表 2-2 所示. 表2-2 Hi3518E Demo 单板中的 GPIO 分配 GPIO 用途 单板处理 JTAG_TRSTN/GPIO0_0/TEMPER_DQ 仿真器 JTAG 接口 10k 电阻下拉处理 JTAG_TCK/GPIO0_1/TEMPER_DQ 1k 电阻下拉处理 JTAG_TMS/GPIO0_2/TEMPER_DQ 4.7k 电阻上拉处理 JTAG_TDO/GPIO0_3/TEMPER_DQ 4.7k 电阻上拉处理 JTAG_TDI/GPIO0_4/TEMPER_DQ 4.7k 电阻上拉处理 FLASH_TRIG/GPIO1_7 闪光灯触发管脚 保持低电平 10ms 以上即触发闪光, 默认高电平 - SHUTTER_TRIG/GPIO1_0 快门触发管脚,默 认高电平 - Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 7 GPIO 用途 单板处理 PWM_OUT0/GPIO5_2 AI PWM 控制管 脚,默认低电平 - PWM_OUT1/GPIO5_3 预留 - UART1_RTSN/GPIO2_2 UART1 485 收发控 制引脚. 接收:0 发送:1 - UART1_CTSN/GPIO2_4 UART2 485 收发控 制引脚. 接收:0 发送:1 - GPIO0_5/SVB_PWM/TEMPER_DQ ETH PHY 复位管 脚. 0:复位 1:取消复位 - GPIO0_6/SVB_PWM/TEMPER_DQ Core SVB PWM 输 出引脚. - GPIO0_7/SYS_RSTN_OUT/TEMPER_ DQ 用于 DS18B20 功 能验证 - SDIO_CARD_POWER_EN/GPIO6_1 SD 卡上电使能 power off:0 power on:1 4.7k 电阻下拉处理 SDIO_CARD_DETECT/GPIO6_0 SD 卡检测 卡到位:0 默认:1 4.7k 电阻上拉处理 SDIO_CWPR/GPIO6_2 SD 卡写保护监测 解除保护:0 写保护:1 4.7k 电阻上拉处理 USB_OVRCUR/GPIO5_0 USB 过流检测,低 电平有效 10k 电阻上拉处理 Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 8 GPIO 用途 单板处理 USB_PWREN/GPIO5_1 USB 上电使能 power off:0 power on:1 4.7k 电阻下拉处理 GPIO9_0/1/2/3/4/5/6/7 通用 IO 端口,预留-2.3 I2C 地址 Hi3518EDMEB 的外围器件 I2 C 地址配置如下: z SIL9024:0x72 z RTC:0x68 2.4 单板多功能操作补充说明 要实现 Hi3518EDMEB 的多功能,需要做以下操作: z 单板 Sensor 接口复用通过拨码开关控制 CPLD 来进行切换,具体的配置请参见表 3-1 中SW1 的描述. z 单板 ETH 与BT.1120 引脚功能复用,硬件上通过拨码开关控制 switch 来进行切 换,具体的配置请参见表 3-1 中SW1 的描述. z 单板默认工作在 MII 模式,时钟由 Hi3518E 提供.MII 和RMII 模式配置如表 2-3 所示. 表2-3 MII 和RMII 模式配置 MODE PHY CLOCK 需要焊接的电阻 需要断开的电阻 MII 来自 Hi3518E R237、R239、R241、 R246、R247、R248 R238、R240、R242、 R245、R250、R251 MII 来自 25M 晶体 R238、R239、R241、 R246、R247、R248 R237、R240、R242、 R245、R250、R251 RMII 来自 Hi3518E R240、R242、R248、 R245、R237 R238、R239、R241、 R250、R246、R247、R251 RMII 来自 50M 晶体 R240、R242、R251、 R245、R250、R237 R238、R239、R241、 R246、R247、R248 Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 9 3 操作指南 3.1 注意事项 Hi3518EDMEB 适用于实验室或者工程开发环境.在开始操作之前,请先阅读以下注意 事项: 任何情况下均不能对单板进行热插拔操作. z 在拆封单板包装与安装之前,为避免静电释放(ESD)对单板硬件造成损伤,请 采取必要的防静电措施. z 手持单板时请拿单板的边沿,不要触碰到单板上的外露金属部分,以免静电对单 板元器件造成损坏. z 请将 Hi3518EDMEB 放置于干燥的平面上,并保证它们远离热源、电磁干扰源与 辐射源、电磁辐射敏感设备(如:医疗设备)等. z 请对照图 2-1 和图 2-2,熟悉 Hi3518EDMEB 的结构布局,确保能够在单板上辨认 出可操作部件,如开关、连接器以及指示灯的位置. 3.2 单板设置 Hi3518EDMEB 通过配置拨码开关,选择 Hi3518E 芯片的工作模式和音视频输入输出 通道,如表 3-1 和表 3-2 所示. 默认状态 SW1 拨至 0111,SW2 拨至 0001,SW3 拨至 0001,在使用时请注意核对拨码开关是否 正确. Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 10 表3-1 Hi3518EDMEB 拨码开关设置表 位号 引脚 含义 SW1(拨码开关) Pin(2,1) Sensor 接口选择 00:60pin sensor 连接器; 01:26pin sensor 连接器; 10:32pin sensor 连接器; 11:40pin FPC 排线连接器. 详细请参见表 2-1. Pin(4,3) ETH 和BT1120 切换. 00:保留; 01:ETH; 10:BT1120; 11:保留. SW2 Pin 1 JTAG_EN. 0:Disable JTAG; 1:Enable JTAG. Pin 2 POR_SEL. 0:Enable POR; 1:Disable POR. Pin3 保留. Pin 4 保留. SW3 Pin 4 保留. Pin 3 保留. Pin 2 保留. Pin 1 保留. 如果拨码的值不在上表所列范围之内,CPLD 将输出高阻态. 其中: z 60pin sensor 连接器:主要用于对接松下和索尼的 sensor demo 板. (外围板 J12) z 26pin sensor 连接器:主要用于对接 aptina 的sensor demo 板. (外围板 J30) Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 11 z 32pin sensor 连接器:主要用于 OV 的sensor demo 板. (外围板 J27) z 40pin FPC 排线连接器:海思自定义的 sensor 板连接器接口. (外围板 J10) 表3-2 启动模式的配置 启动模式 值 操作方法 备注 BOOT_SEL 1 在外围板上,焊接 R47, 去掉 R192 不支持 NAND FLASH,在 配置中勿出现此种情况 0 在外围板上,焊接 R192,去掉 R47 从SPI FLSAH 启动 SFC_ADDR_MODE 1 针对 Hi3518E 核心板, 焊接 R32,去掉 R33 SPI flash 寻址模式默认为 4 Byte mode 0 针对 Hi3518E 核心板, 焊接 R33,去掉 R32 SPI flash 寻址模式默认为 3 Byte mode 3.3 Sensor 板和 DMEB 对接使用指南 目前 Hi3518E 对接的 sensor 种类较多,其中有的 sensor IO 电源是 1.8V,有的 sensor IO 电源是 2.8V/3.3V. Hi3518EDMEB 的sensor 接口可以同时兼容这两种电平,默认对接 2.8V/3.3V IO 电源,如果需要对接 1.8V IO 电源,需要修改单板上磁珠的焊接位置. 如图 3-1 所示,黄色放大区域两个磁珠的位号为 LB16(对应丝印 1V8 SENSOR)和LB17(对应丝印 3V3 SENSOR) ,默认情况下单板焊接 LB17,即对接 2.8V/3.3V IO 电 源的 sensor 板,如AR0130、9M034 等.如果需要对接 1.8V IO 电源的 sensor 板,如IMX104、IMX122 等,则需要将磁珠的位置由 LB17 改为 LB16. Sensor 连接器选择 J10(40pin FPC 排线连接器) . Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 12 图3-1 Hi3518EDMEB 的sensor 接口电平选择示意图
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Hi3518EDMEB 用户指南 文档版本 00B01 发布日期 2014-02-28 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 2014.保留一切权利. 非经本公司书面许可,任何单位和个人不得擅自摘抄、复制本文档内容的部分或全部,并不得以任 何形式传播. 商标声明 、 、海思和其他海思商标均为深圳市海思半导体有限公司的商标. 本文档提及的其他所有商标或注册商标,由各自的所有人拥有. 注意 您购买的产品、服务或特性等应受海思公司商业合同和条款的约束,本文档中描述的全部或部分产 品、服务或特性可能不在您的购买或使用范围之内.除非合同另有约定,海思公司对本文档内容不 做任何明示或默示的声明或保证. 由于产品版本升级或其他原因,本文档内容会不定期进行更新.除非另有约定,本文档仅作为使用 指导,本文档中的所有陈述、信息和建议不构成任何明示或暗示的担保. 深圳市海思半导体有限公司 地址: 深圳市龙岗区坂田华为基地 D 区 邮编:518129 网址: http://www.hisilicon.com 客户服务电话: +86-755-28788858 客户服务传真: +86-755-28357515 客户服务邮箱: support@hisilicon.com Hi3518EDMEB 用户指南 前言文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 i 前言概述 本文档主要介绍 Hi3518EDMEB 基本功能特点和硬件特性、多功能硬件配置、软件调 试操作使用方法. 产品版本 与本文档相对应的产品版本如下. 产品名称 产品版本 Hi3518E 芯片 V100 读者对象 本文档(本指南)主要适用于以下工程师: z 技术支持工程师 z 单板硬件开发工程师 修订记录 修订记录累积了每次文档更新的说明.最新版本的文档包含以前所有文档版本的更新 内容. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 第1次发布. Hi3518EDMEB 用户指南 目录文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 ii 目录前言.i 1 概述.1 1.1 简介.1 1.2 功能特性.1 1.3 产品交付件清单.2 1.4 相关组件.2 2 硬件介绍.3 2.1 结构与接口.3 2.2 GPIO 的分配 6 2.3 I2 C 地址 8 2.4 单板多功能操作补充说明.8 3 操作指南.9 3.1 注意事项.9 3.2 单板设置.9 3.3 Sensor 板和 DMEB 对接使用指南.11 Hi3518EDMEB 用户指南 插图目录 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 iii 插图目录 图2-1 Hi3518E 核心板的接口结构示意图 3 图2-2 Hi3518 外围板的对外接口结构示意图.4 图2-3 Hi3518E 核心板和外围板对接示意图 6 图3-1 Hi3518EDMEB 的sensor 接口电平选择示意图.11 Hi3518EDMEB 用户指南 表格目录 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 iv 表格目录 表1-1 Hi3518EDMEB 存储器参数表.2 表2-1 Hi3518 外围板外部接口说明.4 表2-2 Hi3518E Demo 单板中的 GPIO 分配 6 表2-3 MII 和RMII 模式配置 8 表3-1 Hi3518EDMEB 拨码开关设置表.10 表3-2 启动模式的配置 11 Hi3518EDMEB 用户指南 1 概述 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 1 1 概述 1.1 简介 Hi3518EDMEB 是针对海思 Hi3518E 媒体处理芯片开发的演示评估板,用于给客户展示 Hi3518E 芯片强大的多媒体功能和丰富的外围接口,同时为客户提供基于 Hi3518E 芯 片的硬件参考设计,使客户只需要简单修改 Hi3518EDMEB 上的模块电路,就可以完 成产品的硬件开发. Hi3518EDMEB 通过串口和网口线与开发 PC 连接,可以作为一个基本开发系统使用, 或实现更完全的开发系统或演示环境,此时连接如下设备或部件: z 电视机或监视器 z Sensor 板z音频源及音箱 z USB 2.0 device 设备 z RealView -ICE 仿真器 z U 盘、SD Card 等存储设备 海思公司提供成熟的 Hi-Boot 程序(即U-Boot),可以脱离仿真器,通过网络 TFTP 的方式进行 软件调试. 1.2 功能特性 Hi3518EDMEB 具有以下功能特性: z Hi3518E 提供一个视频捕获接口,支持视频 RAW DATA 数据输入,位宽最高 12bit,接口频率可达 74.25MHz. z 支持 1 路HDMI 输出. z 1 个RJ45 网络接口,支持 10/100/Mbit/s 全双工或半双工模式;支持 EEE 能效以 太网. z 支持 1 个USB host 2.0 高速设备接口. z 支持 1 个RS232 标准串口,1200~115200bit/s 波特率;支持 2 路RS485 接口. Hi3518EDMEB 用户指南 1 概述 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 2 z 支持 IR 红外接收接口. z 支持 SD 卡. Hi3518EDMEB 支持的存储器参数如表 1-1 所示. 表1-1 Hi3518EDMEB 存储器参数表 存储器 数据位宽 频率 容量 SPI NOR Flash 1-2-4bit - 16MB 1.3 产品交付件清单 Hi3518EDMEB 交付件主要包括以下物品: z Hi3518E 核心板:Hi3518EDMEB. z Hi3518 外围板:Hi3518PERB. z 电源适配器,规格:输入 100V AC~240V AC,50Hz;输出 12V DC,2A. z OV9712 sensor 板1块. Hi3518E 核心板和外围板之间通过连接器相互扣接. 注:Hi3518E 与Hi3518A/Hi3518C 核心板共用 Hi3518 外围板,但在使用 Hi3518E 时,需要将底板 DDR 部分的 1.5V 电源修改为 1.8V. 1.4 相关组件 以下所列组件不包含在 Hi3518EDMEB 的包装之内,但它们是用户程序调试过程中的 必备组件,请自备. z 网线 z 电视机、音响和摄像头等音视频接收设备 z 串口线 Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 3 2 硬件介绍 2.1 结构与接口 Hi3518E 核心板的接口示意图如图 2-1 所示.其中黄线圈内的器件为 Hi3518E 核心板 与外围板对接的连接器. 图2-1 Hi3518E 核心板的接口结构示意图 Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 4 Hi3518E 和Hi3518A、Hi3518C 核心板共用 Hi3518 外围板(Hi3518E 使用外围板时, 需要将底板上 1.5V 的电源修改为 1.8V) ,Hi3518 外围板的对外接口结构示意如图 2-2 所示. 图2-2 Hi3518 外围板的对外接口结构示意图 图2-2 中的各接口说明如表 2-1 所示. 表2-1 Hi3518 外围板外部接口说明 序号 说明 1 60pin sensor 连接器,主要用于对接松下和索尼的 sensor demo 板240pin FPC 排线连接器,海思自定义的 sensor 板连接器接口 3 32pin sensor 连接器,主要用于 OV 的sensor demo 板45V0 电源插座 Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 5 序号 说明 5 红外接收头 6 UART1 RS485 接口 7 UART0 调试串口 8 UART2 RS485 接口 9 CVBS 接口 10 MIC IN 接口 11 LINE IN 接口 12 LINE OUT 接口 13 USB 接口 14 HDMI 接口 15 网口 16 12V0 电源适配器插口 17 单板开关 18 SD 卡19 AI 调试接口 20 拨码开关 SW1 21 拨码开关 SW2 22 拨码开关 SW3 23 26pin sensor 连接器,主要用于对接 aptina 的sensor demo 板24 Hi3518E 芯片 JTAG 口25 CPLD JTAG 口26 复位按钮 27 外围板与 Hi3518E 核心板对接的连接器 注:单板上的拨码开关操作请参考表 3-1. HI3518E 核心板和外围板对接示意图如图 2-3 所示.将Hi3518E 核心板的 U 形标记(图2-3 中的左图里黄色圈标识)对准 Hi3518 外围板的 U 形标记放置(图2-3 中的右图里黄 色圈标识). Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 6 图2-3 Hi3518E 核心板和外围板对接示意图 2.2 GPIO 的分配 Hi3518E Demo 单板中的 GPIO 分配如表 2-2 所示. 表2-2 Hi3518E Demo 单板中的 GPIO 分配 GPIO 用途 单板处理 JTAG_TRSTN/GPIO0_0/TEMPER_DQ 仿真器 JTAG 接口 10k 电阻下拉处理 JTAG_TCK/GPIO0_1/TEMPER_DQ 1k 电阻下拉处理 JTAG_TMS/GPIO0_2/TEMPER_DQ 4.7k 电阻上拉处理 JTAG_TDO/GPIO0_3/TEMPER_DQ 4.7k 电阻上拉处理 JTAG_TDI/GPIO0_4/TEMPER_DQ 4.7k 电阻上拉处理 FLASH_TRIG/GPIO1_7 闪光灯触发管脚 保持低电平 10ms 以上即触发闪光, 默认高电平 - SHUTTER_TRIG/GPIO1_0 快门触发管脚,默 认高电平 - Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 7 GPIO 用途 单板处理 PWM_OUT0/GPIO5_2 AI PWM 控制管 脚,默认低电平 - PWM_OUT1/GPIO5_3 预留 - UART1_RTSN/GPIO2_2 UART1 485 收发控 制引脚. 接收:0 发送:1 - UART1_CTSN/GPIO2_4 UART2 485 收发控 制引脚. 接收:0 发送:1 - GPIO0_5/SVB_PWM/TEMPER_DQ ETH PHY 复位管 脚. 0:复位 1:取消复位 - GPIO0_6/SVB_PWM/TEMPER_DQ Core SVB PWM 输 出引脚. - GPIO0_7/SYS_RSTN_OUT/TEMPER_ DQ 用于 DS18B20 功 能验证 - SDIO_CARD_POWER_EN/GPIO6_1 SD 卡上电使能 power off:0 power on:1 4.7k 电阻下拉处理 SDIO_CARD_DETECT/GPIO6_0 SD 卡检测 卡到位:0 默认:1 4.7k 电阻上拉处理 SDIO_CWPR/GPIO6_2 SD 卡写保护监测 解除保护:0 写保护:1 4.7k 电阻上拉处理 USB_OVRCUR/GPIO5_0 USB 过流检测,低 电平有效 10k 电阻上拉处理 Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 8 GPIO 用途 单板处理 USB_PWREN/GPIO5_1 USB 上电使能 power off:0 power on:1 4.7k 电阻下拉处理 GPIO9_0/1/2/3/4/5/6/7 通用 IO 端口,预留-2.3 I2C 地址 Hi3518EDMEB 的外围器件 I2 C 地址配置如下: z SIL9024:0x72 z RTC:0x68 2.4 单板多功能操作补充说明 要实现 Hi3518EDMEB 的多功能,需要做以下操作: z 单板 Sensor 接口复用通过拨码开关控制 CPLD 来进行切换,具体的配置请参见表 3-1 中SW1 的描述. z 单板 ETH 与BT.1120 引脚功能复用,硬件上通过拨码开关控制 switch 来进行切 换,具体的配置请参见表 3-1 中SW1 的描述. z 单板默认工作在 MII 模式,时钟由 Hi3518E 提供.MII 和RMII 模式配置如表 2-3 所示. 表2-3 MII 和RMII 模式配置 MODE PHY CLOCK 需要焊接的电阻 需要断开的电阻 MII 来自 Hi3518E R237、R239、R241、 R246、R247、R248 R238、R240、R242、 R245、R250、R251 MII 来自 25M 晶体 R238、R239、R241、 R246、R247、R248 R237、R240、R242、 R245、R250、R251 RMII 来自 Hi3518E R240、R242、R248、 R245、R237 R238、R239、R241、 R250、R246、R247、R251 RMII 来自 50M 晶体 R240、R242、R251、 R245、R250、R237 R238、R239、R241、 R246、R247、R248 Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 9 3 操作指南 3.1 注意事项 Hi3518EDMEB 适用于实验室或者工程开发环境.在开始操作之前,请先阅读以下注意 事项: 任何情况下均不能对单板进行热插拔操作. z 在拆封单板包装与安装之前,为避免静电释放(ESD)对单板硬件造成损伤,请 采取必要的防静电措施. z 手持单板时请拿单板的边沿,不要触碰到单板上的外露金属部分,以免静电对单 板元器件造成损坏. z 请将 Hi3518EDMEB 放置于干燥的平面上,并保证它们远离热源、电磁干扰源与 辐射源、电磁辐射敏感设备(如:医疗设备)等. z 请对照图 2-1 和图 2-2,熟悉 Hi3518EDMEB 的结构布局,确保能够在单板上辨认 出可操作部件,如开关、连接器以及指示灯的位置. 3.2 单板设置 Hi3518EDMEB 通过配置拨码开关,选择 Hi3518E 芯片的工作模式和音视频输入输出 通道,如表 3-1 和表 3-2 所示. 默认状态 SW1 拨至 0111,SW2 拨至 0001,SW3 拨至 0001,在使用时请注意核对拨码开关是否 正确. Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 10 表3-1 Hi3518EDMEB 拨码开关设置表 位号 引脚 含义 SW1(拨码开关) Pin(2,1) Sensor 接口选择 00:60pin sensor 连接器; 01:26pin sensor 连接器; 10:32pin sensor 连接器; 11:40pin FPC 排线连接器. 详细请参见表 2-1. Pin(4,3) ETH 和BT1120 切换. 00:保留; 01:ETH; 10:BT1120; 11:保留. SW2 Pin 1 JTAG_EN. 0:Disable JTAG; 1:Enable JTAG. Pin 2 POR_SEL. 0:Enable POR; 1:Disable POR. Pin3 保留. Pin 4 保留. SW3 Pin 4 保留. Pin 3 保留. Pin 2 保留. Pin 1 保留. 如果拨码的值不在上表所列范围之内,CPLD 将输出高阻态. 其中: z 60pin sensor 连接器:主要用于对接松下和索尼的 sensor demo 板. (外围板 J12) z 26pin sensor 连接器:主要用于对接 aptina 的sensor demo 板. (外围板 J30) Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 11 z 32pin sensor 连接器:主要用于 OV 的sensor demo 板. (外围板 J27) z 40pin FPC 排线连接器:海思自定义的 sensor 板连接器接口. (外围板 J10) 表3-2 启动模式的配置 启动模式 值 操作方法 备注 BOOT_SEL 1 在外围板上,焊接 R47, 去掉 R192 不支持 NAND FLASH,在 配置中勿出现此种情况 0 在外围板上,焊接 R192,去掉 R47 从SPI FLSAH 启动 SFC_ADDR_MODE 1 针对 Hi3518E 核心板, 焊接 R32,去掉 R33 SPI flash 寻址模式默认为 4 Byte mode 0 针对 Hi3518E 核心板, 焊接 R33,去掉 R32 SPI flash 寻址模式默认为 3 Byte mode 3.3 Sensor 板和 DMEB 对接使用指南 目前 Hi3518E 对接的 sensor 种类较多,其中有的 sensor IO 电源是 1.8V,有的 sensor IO 电源是 2.8V/3.3V. Hi3518EDMEB 的sensor 接口可以同时兼容这两种电平,默认对接 2.8V/3.3V IO 电源,如果需要对接 1.8V IO 电源,需要修改单板上磁珠的焊接位置. 如图 3-1 所示,黄色放大区域两个磁珠的位号为 LB16(对应丝印 1V8 SENSOR)和LB17(对应丝印 3V3 SENSOR) ,默认情况下单板焊接 LB17,即对接 2.8V/3.3V IO 电 源的 sensor 板,如AR0130、9M034 等.如果需要对接 1.8V IO 电源的 sensor 板,如IMX104、IMX122 等,则需要将磁珠的位置由 LB17 改为 LB16. Sensor 连接器选择 J10(40pin FPC 排线连接器) . Hi3518EDMEB 用户指南 错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o? ?? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在此处显示的文 字.错误!使用"开始"选项卡将 标题 1,Heading U,H1,H11,?? o?? 1,?c o??E 1,h1,?,?c,?c o??? 1,?,?,Titre 1,? 2 应用于要在 此处显示的文字. 文档版本 00B01 (2014-02-28) 海思专有和保密信息 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 12 图3-1 Hi3518EDMEB 的sensor 接口电平选择示意图