• 氮化镓热导率 > (张倞源)1

  • (张倞源)1

    免费下载 下载该文档 文档格式：PDF   更新时间：2010-01-02   下载次数：0   点击次数：3

    半导体材料中,窄能隙材料已不能满足目前光电产业的需求.而氮化镓(GaN)在室温下 具有约3.4eV的直接能隙 (Direct band gap),原子键强,热导率高及化学稳定性佳等...

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