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    期中1:表面聲波濾波器之結構、原理與應用. 期中2:微波介電陶瓷通訊元件. 期末1:微帶線陶瓷天線
    
    3/7號上課做的LED的四種燈泡介紹上傳到評量區
    優點在低光度下能量轉換效率高(電能轉換成光能的效率) - 也即較省電,非常適合在低光度(如手提電話的背光)需求中使用。當光度提高到非極小範圍照明用途時(如檯頭燈),LED的效率雖然比鎢絲燈泡高,但仍比螢光燈(俗稱光管或日光燈管)差[2]。 
    反應(開關)時間快 - 可以達到很高的閃爍頻率。 
    使用壽命長 - 在適當的散熱和應用環境下可達35,000 ~ 50,000小時,相對螢光燈為10,000 ~ 15,000小時,白熾燈為1,000 ~ 2,000小時。 
    耐震盪等機械衝擊 - 由於是固態元件,沒有燈絲,相對螢光燈、白熾燈等能承受更大震盪。 
    體積小 - 其本身體積可以造得非常細小(小於2mm)。 
    便於聚焦 - 因發光體積細小,而易於以透鏡等方式達致所需集散程度,藉改變其封裝外形,其發光角度由大角度散射至細角度聚焦都可以達成。 
    單色性強 - 由於是單一能級光出的光子,波長比較單一(相對大部份人工光源而言),能在不加濾光器下提供多種單純的顏色。 
    色域略較廣闊 - 白色LED覆蓋色域較其他白色光源廣。[3] 
    冷光束 - LED光束本身不包含紅外線或者紫外線,對注重保護被照對象的場合,如博物館展品的照明應用最適合。 
    [編輯] 缺點高光度下效率較低,在一般照明用途上仍比螢光燈耗電,有些LED燈甚至比省電燈泡耗電。有些設計使用多枚LED,使得LED可以工作在較低光度,從而增加效率,卻使成本大為提高,售價難以降低。 
    受高溫影響:LED在高溫下能量轉換效率會急速下降,變得浪費電力之餘也產生更多熱,令溫度進一步上升,形成惡性循環,同時縮短壽命。如果散熱不佳會大幅縮短壽命、增加耗電。 
    LED光度由電流控制,光度調節略為複雜。 
    起始成本較高。 
    因LED為光源點細小與分佈較集中,作照明用途時光源過於集中、刺眼,須運用光學設計分散光源。 
    演色性仍待加強。(傳統燈泡、鹵素燈演色性極佳,而螢光燈管容易找到高演色性的產品;演色性低的光源照明不但會有顏色不正常的感覺,對視力及健康也有害) 
    即使是同一批次的單顆LED與LED之間也存在著光通量,顏色和正向電壓的差別,一致性差。 
    [編輯] 發光二極體技術[編輯] 原理 
    結合藍色、黃綠(草綠)色,以及高亮度的紅色LED等三者的頻譜特性曲線,三原色在FWHM頻譜中的頻寬約24奈米─27奈米。發光二極體是一種特殊的二極體。和普通的二極體一樣,發光二極體由半導體晶片組成,這些半導體材料會預先透過注入或攙雜等工藝以產生p、n架構。與其它二極體一樣,發光二極體中電流可以輕易地從p極(陽極)流向n極(負極),而相反方向則不能。兩種不同的載流子:空穴和電子在不同的電極電壓作用下從電極流向p、n架構。當空穴和電子相遇而產生複合,電子會跌落到較低的能階,同時以光子的模式釋放出能量。由於沒有諧振腔,不會產生光反饋,因此LED發出的光是熒光。
    
    它所發出的光的波長(決定顏色),是由組成p、n架構的半導體物料的禁帶能量決定。由於矽和鍺是間接帶隙材料,在這些材料在常溫下電子與空穴的複合是非輻射躍遷,此類躍遷沒有釋出光子,所以矽和鍺二極體不能發光。但在極低溫的特定溫度下則會發光,必須在特殊角度下才可發現,而該發光的亮度不明顯。發光二極體所用的材料都是直接帶隙型的,這些禁帶能量對應著近紅外線、可見光、或近紫外線波段的光能量。
    
    發展初期,採用砷化鎵(GaAs)的發光二極體只能發出紅外線或紅光。隨著材料科學的進步,各種顏色的發光二極體,現今皆可製造。
    
    以下是發光二極體的無機半導體原料及發光顏色:
    
    單色 多原色/闊頻段 
    紫 白 
    顏色 λ波長(nm) 正向偏壓(V) 半導體 物質符號 正向偏壓(V) 構成 正向偏壓(V) 構成 
     紅外線 >760 < 1.9 砷化鎵鋁砷化鎵 GaAs AlGaAs 2.48-3.7 紅LED + 藍LED 藍LED + 紅磷 白LED + 藍色濾光器 2.9 - 3.5 藍LED + 黃磷 紫外線LED + 黃磷 紅LED + 綠LED + 藍LED 
     紅 760至610 1.63-2.03 鋁砷化鎵 砷化鎵磷化物 磷化銦鎵鋁 磷化鎵(摻雜氧化鋅) AlGaAs GaAsP AlGaInP GaP:ZnO 
     橙 610至590 2.03-2.10 砷化鎵磷化物 磷化銦鎵鋁 磷化鎵(摻雜?) GaAsP AlGaInP GaP:? 
     黃 590至570 2.10-2.18 砷化鎵磷化物 磷化銦鎵鋁 磷化鎵(摻雜氮) GaAsP AlGaInP GaP:N 
     綠 570至500 2.18-4 銦氮化鎵/氮化鎵 磷化鎵 磷化銦鎵鋁 鋁磷化鎵 InGaN/GaN GaP AlGaInP AlGaP 
    
    

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