文档预览： 1.10 现有一个结型场效应管和一个半导体三极管混...习题1-11图 习题1-12图 习题1-13图1.13 电路如习题1-13图所示,晶体管的...MOS管,增强型,耗尽型),并... 点击下载

文档预览： PN结是半导体的基本结构单元，其基本特性是单向导电性：即当外加电压极性不同时 ，PN结表现出截然不同的导电性能。 ... 见相应章节的“习题指导”。 ..... 可见，对于N沟 道增强型MOS管，栅源电压VGS对导电沟道有控制作用，即当UGS> UGS(th)时， ... 点击下载

文档预览： (2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN结在无光照、无... 电压，才能保证其RGS大的特点。（ ） （6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则... 点击下载

文档预览： 本章目录 点击即可进入学习 习题解答 总目录 一、半导体及其导电特性 在物理学中。... 分为： 增强型 N沟道、P沟道 耗尽型 N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管（1）结... 点击下载

文档预览： PN结的单向导电性 PN结具有单向导电性，这是半导体二极管的一个重要特性，但其只... 它又被称为单极性三极管。场效应管分为结型和MOS型两种，结型包括N沟沟道和P沟道... 点击下载

文档预览： 容易成为自由电子.磷原子失去一个电子成为正离子(在晶体中不能移动) 每个磷原子... MOS场效应管是利用半导体表面的电场效应来控制输出电流的,输入端不需要供给电流... 点击下载

文档预览： 第1-2章 思考题与习题解答1, 名词解释半导体,载流子,空穴,自由电子,本征半...图(b)中,因此该管是P沟道增强型MOS管.开启电压为2 V图(c)中 0,因此是P... 点击下载

文档预览： 截止区：两个PN结深度反偏，Vce<0V,Vbe<0V;Ib0V,Ic0V；一般地，Vbe<0.7V时，... 2.2.3 MOS管的开关特性 一、MOS管是金属—氧化物—半导体场效应管的简称。（Metal... 点击下载

文档预览： 2.1.3半导体三极管的特性曲线2.1.4三极管的主要参数2--2场效应晶体管2.2.1结型场效应管2.2.2绝缘栅型场效应管(MOS管)2-3基本交流电压放大电路... 点击下载

文档预览： 半导体存储器的基本概念,只读存储器和程序存储器的...EEPROM的存储单元采用了浮栅隧道氧化层MOS管(...8.1习题讲解新课讲解:8.2 可编程器件背景与问题:随着半导体... 点击下载