文档预览： 半导体材料中,窄能隙材料已不能满足目前光电产业的需求.而氮化镓(GaN)在室温下 具有约3.4eV的直接能隙 (Direct band gap),原子键强,热导率高及化学稳定性佳等... 点击下载

文档预览： 氮化镓的热导率明显高于常规半导体. 这一属性在高功率放 大器和激光器中是很起...一,氮化镓半导体材料市场的发展状况...错误!未定义书签. 二,氮化镓照亮半导体... 点击下载

文档预览： 2.7热导(W/c·K)1.30.62.0击穿电压(M/cm)...砷化镓材料的电子迁移率是硅的6倍多,其器件具有硅...氮化镓材料的禁带宽度为硅材料的3倍多,其器件在大... 点击下载

文档预览： 氮化镓 , (GaN) 4H 碳化硅 , (4H-SiC) 6H 碳化硅 , (6H-SiC) 氮化铝 ,...载流子饱和漂移速度和热导率,是制 造高电压,高电流,高频,高温等应用场合器件的... 点击下载

文档预览： 半导体材料的热导率... 化硅器件和金刚石器件的最低功耗小于1W;并且即使在更高开关频率下,金刚石器件...氮化镓和碳化硅等宽禁带半导 体的临界... 点击下载

文档预览： 铜具有许多可贵的物理化学特性例如其热导率都很高,化学稳定性强,抗张强度大,...长度达微米微米量级的氮化镓半导体一维纳米棒,使我国在国际上首次把氮化镓制备成一维... 点击下载

文档预览： 晶格热导率 Lattice Thermal Conductivity热电器件和系统 Thermoelectric Device & ...氮化镓 GaN氧化锌 ZnO金刚石 diamond化学气相沉积 CVD磁控溅射 sputtering... 点击下载

文档预览： 碳化硅晶片属于宽带隙半导体材料,是第三代半导体材料,具有高热导率, 高电子饱和..."碳化硅(氮化镓)晶体和外延晶体的 X 射线衍射技术分析和其专用设备的 设计和改造... 点击下载

文档预览： 宽带隙半导体材料:是指具有高的击穿电场,高的热导率,高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力的半导体材料,更适合于制作高温... 点击下载

文档预览： 文章编号 :1009-0622 (2002) 02-0043-02 钨钼等难熔金属合金材料加工技术及其应用现状 文献标识码 : E 本文为英国《Metal Powder Report》的某编辑顾问, 从美国 粉末冶金研究会 /金属粉末工业联合会召开的国际钨、硬质 金属与难熔金属会议文集中 ... 点击下载