文档预览： 用阶跃恢复法测量半导体二极管少数载流子寿命 邵剑 指导老师：陆昉教授 （复旦大学物理系 上海 200433） 摘要 本文介绍一种简易的电学方法，用以测量半导体二极管中的... 点击下载

文档预览： 实验 光电导衰退法测量单晶硅非平衡少数载流子寿命 少子寿命对双极型器件的电流增益、正向压降、 开关速度等参数起着决定性的作用。 太阳能电池的转换效率，发光二极管的... 点击下载

文档预览： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 第十二讲 载流子的流动（续） 9月30,2002 内容： 1. 少数载流子类型情况（续） 2. 动态情况 阅读作业... 点击下载

文档预览： 净载流子变化率=R-G=rnp-rni 2 少数载流子复合的速率为： -dp/dt=r(NDp- ni 2 )， 其中 ni 2 =ND(p-pl) -dp/dt=rND(p-p+pl)=rNDpl 求解该方程可以得到 pl=pl, t=0exp(-t/τp),... 点击下载

文档预览： t0到t1称为少数载流子存储时间ta,这期间,一部分内部储存电荷通过反向被快速抽出,二极管反向电流从零上升至其峰值IRM,PN结电压则略有一些减小但仍是正向的.由于二极... 点击下载

文档预览： 在TE时Auger的R几率与多数载流子浓度的平方成正比并且与少数载流子浓度成线性关系。 在TE时陷阱支持的G/R几率取决于陷阱的特性，它的浓度，掺杂类型和掺杂水平。 在n型... 点击下载

文档预览： 在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供;空穴是少数载流子, 由热激发形成. 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子,因此五价杂质原子... 点击下载

文档预览： 半导体中少数载流子浓度仅仅 尽管,铁磁金属中迁移率远小于半导体 ... 很多半导体的载流子都具有自旋-轨道耦合作用. 如果 在该半导体上施加纵向电场,... 点击下载

文档预览： YS/T 679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法术语3.1下列术语适用于本标准.使用本方法的术语见GB/T14264 半导体材料术语.牌号... 点击下载

文档预览： 少数载流子的转移 D. 电荷检测 二,判断题(10分,2分/题)6,任意一种朗伯体的辐射亮度都是均匀的,与辐射的方向角没有关系.( )... 点击下载