文档预览： 双向触发二极管DO-35 GlassDB3/DB4SILICON BIDIRECTIONAL DIAC特征Features反向漏电流低 Low reverse leakage 正向浪涌承受能力较强 High forward surge capability 高温... 点击下载

文档预览： 2010-2015年中国双向触发二极管行业分析及未来发展趋势研究报告报告名称： 2010-2015年中国双向触发二极管行业分析及未来发展趋势研究报告报告编号： 507824... 点击下载

文档预览： 双向触发二极管 SILICON BIDIRECTIONAL DIACDO-41DB3特征Features低的反向漏电流 Low reverse leakage.034(0.9) DIA .028(0.7)较强的正向浪涌承受能力 High ... 点击下载

文档预览： 2011-2016年中国双向触发二极管行业市场发展趋势及投资规划报告【报告名称】 2011-2016年中国双向触发二极管行业市场发展趋势及投资规划报告【报告编号】 ... 点击下载

文档预览： 2010-2015年中国双向触发二极管产业深度调研及未来发展现状趋势预测报告【出版日期】 2010年11月【报告页码】 350页【图表数量】 150个... 点击下载

文档预览： -1-2010-2015年中国双向触发二极管行业分析及未来发展趋势研究报告报告名称： 2010-2015年中国双向触发二极管行业分析及未来发展趋势研究报告报告网址： http://... 点击下载

文档预览： 符号SymbolVBO参数Parameter击穿电压BREAKDOWN VOLTAGE测试条件 Test Condition见图1SEE FIG 1型号 外型尺寸 Min Typ Max Unit Package 单位 mm) TypeDB-3 DB-4 DB... 点击下载

文档预览： 2011-2016年中国双向触发二极管深度调研及投资战略分析报告【报告名称】 2011-2016年中国双向触发二极管深度调研及投资战略分析报告【报告编号】 668072【报... 点击下载

文档预览： 2011-2015年中国双向触发二极管行业发展趋势分析及投资价值预测报告【出版日期】 2011年3月【报告页码】 350页【图表数量】 150个【印刷版价】 7200元... 点击下载

文档预览： devices.32SILICON BIDIRECTIONAL DIAC双向触发二极管特征 Features·低的反向漏电流 Low reverse leakage·较强的正向浪涌承受能力 High forward surge capability·高... 点击下载