(D)4
( D ) 21. 巴克豪森振荡准则是 (A) β A ≤ 1∠0 0 (B) β A ≤ 1∠180 0 (C) β A ≥ 1∠180 0 (D) β A ≥ 1∠0 0 . (E) β A ≤ 1∠90 0 ( D ) 22. 有 60 瓦的功率电晶体 60 瓦指的是 (A)信号交流输出功率 (B)最大集极散逸交流功率 (C)电流供应直流功率 (D) , 最大集极散逸直流功率 (E)以上皆非. ( E ) 23. 一个放大器的电流增益是 4,电压增益是 25,则总功率增益是 (A)40dB (B)50dB (C)30dB (D)10dB (E)20dB. ( C ) 24. 下列叙述何者正确 (A)理想电压表其内阻应为零 (B)理想电流源其内阻应为零 (C)理想电压源其内阻应为零 (D)理想电流表其内阻应 为无穷大 (E)理想电压放大器输出阻抗应为无穷大. ( A ) 25. 下列哪种振荡器不适用於音频振荡 (A)晶体振荡器 (B)T 型电桥振荡器 (C)RC 相移振荡器 (D)韦恩电桥振荡器 (E)以上皆是. ( C ) 26. 下列何者是输入不相等,才有输出 (A)AND 闸 OR 闸(C)XOR 闸(D)XNOR 闸(E)NAND 闸. ( C ) 27. 半加器的∑(和)与进位输出各用一个 (A)AND,OR (B)XOR,OR(C)XOR,AND(D)AND,XOR(E)NOR,OR. ( D ) 28. 共阳极七段显示器欲显示" 5"abcdefg=(A)0100010(B)0010010(C)1011011(D)0100100(E)0110010. ( E ) 29. 无符号数 8 bit 可表示最大数目为十进制的(A)128(B) 1024 (C) 127 (D)256(E) 255. ( B ) 30. 转换5010 成 2'S 补数(A)1100 1101(B)1100 1110(C)1011 0010(D)1011 0010(E)1001 0010. ( E ) 31. 若定址的位址线 A0~A11 共 12 条,可定址的范围 (A)0000H~02FFH (B)0000H~03FFH (C)0000H~07FFH (D)0000H~01FFH(E) 0000H~0FFFH. ( B ) 32. 可用电气重复烧录与清洗的记忆体为 (A)EPROM (B)EEPROM (C)PROM (D)ROM (E) 以上皆非. ( C ) 33. 三种电晶体小信号放大组态中,输入端不可能是 (A)射极 (B)基极 (C)集极 (D) 闸极 (E) 以上皆非. ( D ) 34. 电晶体在数位电路中主要功能为 (A)放大 (B)整流 (C)滤波 (D)开关 (E)以上皆非 ( A ) 35. 放大器中,通常输入阻抗最高的放大器是 (A)共集极(B)共基极(C)共射极(D)三者一样(E) 以上皆非. ( C ) 36. 射极随耦器是 (A)共射极 (B)共基极 (C) 共集极 (D)共源极放大器 (E)以上皆非. ( A ) 37. 输入与输出信号电压反相的是 (A)共射极 (B)共基极 (C)共集极 (D)共闸极放大器 (E) 以上皆非. ( A ) 38. 通常用於阻抗匹配,无电压放大的是 (A)共集极 (B)共基极 (C)共射极 (D) 共闸极(E) 共源极放大器.
~2~
( B ) 39. 图(一)至图(四)中,反相史密特比较器是 (A)图(一) (B)图(二) (C)图(三) (D)图(四) (E) 以上皆非. ( D ) 40. 图(一)至图(四)中,非反相放大器是 (A)图(一) (B)图(二) (C)图(三) (D)图(四) (E) 以上皆非. ( B ) 41. 图(四)中,放大倍数为 (A)5 (B)6 (C)-5 (D)-6 (E)以上皆非. ( E ) 42. 图(五)电晶体饱和时,VBE = 0.8V,VCE = 0.2V,求刚开始饱和的β值 (A) 58 (B)42 (C)98 (D)12 (E) 23. ( C ) 43. T 型正反器与 JK 正反器,何者工作情形一样 (A) T=1,J=K=Qn (B) T=0,J=K=1 (C) T=0,J=K=Qn (D) T=1,J=1,K=0 (E)以上皆非. ( C ) 44. CMOS IC 作业时,以何种材质之衣物最能防止静电破坏 (A)尼龙质 (B)丝质 (C)棉质 (D)塑胶质 (E) 以上皆是. ( B ) 45. TTL 的三态输出,除了有电为 Hi,Lo 输出外,另一态是 (A)高电压输出 (B)高阻抗输出 (C)高电流输出 (D)中电压输出 (E)以上皆非. ( C ) 46. 已简化成 20 个状态的状态图,需使用多少个正反器 (A)3 个 (B)4 个 (C)5 个 (D)6 个 (E)7 个. ( A ) 47. CMOS IC`的高低电位为 VDD 的百分比 (A)70 与 30 (B)80 与 50 (C)70 与 50 (D)85 与 75 (E)60 与 30. ( E ) 48. 二进制值 01001110 , 转换成十进制值为 (A)86 (B)80 (C)56 (D)68 (E)78. ( B ) 49. 10 位元 D/A 转换器的解析度为 (A)1/512 (B)1/1024 (C)1/2048 (D)1/4096 (E)1/256. ( E ) 50. 电源关闭后,资料会消失的记忆体是 (A)EPROM (B)EEPROM (C)PROM (D)ROM (E)RAM.
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九十四学年度大华技术学院电子工程系二年制技术系在职...
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