九十四学年度大华技术学院电子工程系二年制技术系在职专班招生考试试题
准考证号码: 电子类(一) 姓名: 电子学 试题
注 1.本试题共五十题选择题,每题二分,共计一百分,请依题号用原子笔将答案真入答案卷 意 空格内,否则不予计分. 事 项 2.请在试卷真上准考证号码及考生姓名,考完后将「试题卷」缴回.
选择题: ( A ) 1. 在 N 型半导体中,传导电流的载子(carrier)主要是: (A)电子 (B)离子 (C)电洞 (D)分子 (E)原子 . ( B ) 2. 金氧半场效电晶体(metal-oxide-semiconductor FET)是以何种效应控制汲源极间(drain-source)电流: (A)磁场 (B)电场 (C)光电 (D)电流 (E)崩溃 效应. ( C ) 3. 何类放大器之转换效率最高,约可达 78.5%: (A)A 类 (B)B 类 (C)C 类 (D)AB 类 (E)以上皆非. ( D ) 4. 共模拒斥比(CMRR)愈大,则表示: (A)愈不易消除杂音 (B)频宽愈大 (C)输入阻抗愈大 (D)愈能消除共模信号(common mode signal) (E)输出阻抗愈 小. ( A ) 5. 若将两个具有相同频率响应的单级低通(low-pass)放大器,串接成两级极放大器,则其频宽较单极放大器之频宽: (A)减小 (B)增加 (C)不变 (D)不一定 (E)以上皆非. ( A ) 6. 平行板电容器,若将极板面积与板间距离同时减半,则其电容量为原来的: (A)相等 (B)1/4 倍 (C)1/2 倍 (D)2 倍 (E)4 倍 ( E ) 7. 关於光耦合器的性能,下列叙述中何者是错误的: (A)可由 LED 和光电晶体组成 (B)输出和输入间呈现绝缘 (C) 属於无接点式且寿命较长 (D)易和逻辑电路连接 (E)可双向传递信号. ( D ) 8. 关於增强型 MOSFET 的共源极放大电路工作时(Active),下列叙述何者正确 (A)若为 n 通道,则 VGS 应为负值 (B)若为 p 通道,则 VGS 应为正值 (C) VGS 愈大, i D 愈小 (D)不能工作 VGS = 0V 的情
况 (E)以上皆非. ( B ) 9. 放大器加了负回授后,下列叙述何者错误 (A)可增加频宽 (B)可用来产生弦波振荡 (C)可减少频率失真 (D)可抑制杂讯 (E)可提高电路的稳定性,使得转换增 益比较不受到温度,电晶体老化等参数变动的影响. ( E ) 10. 相锁环路比较适合应用於下列何种电路 (A)预强调电路 (B)解强调电路 (C)自动增益控制 (D)调频限制器 (E)调频解调器. ( B ) 11. 下列何者不是光耦合器(Opto-Coupler)或称光隔离器(Opto-Isolator)的主要特徵 (A)输入与输出之间成完全绝缘 (B)信号可於此元件的输入输出间双向往来 (C)无接点式寿命长 (D)响应速度快 (E)易和逻辑电路相连接. ( A ) 12. 射极输出的达灵顿电路的特点如下,哪一个不正确: (A)电压增益大於 1 (B)输入阻抗非常高 (C)电流增益非常大 (D)输出阻抗很低 (E)可作阻抗匹配器. ( D ) 13. 将所处物理环境完全相同,皆为电中性且原本分离的 p 型矽及 n 型矽直接紧密地接在一起,则 (A)一开始会有电流由 n 型矽流向 p 型矽 (B)一开始流动的电流大部分是由双方的少数载子(minority carriers)移 动所造成 (C)平衡后 p 型矽内电洞的数目会较平衡前为多 (D)以上皆非 (E)以上皆是. ( C ) 14. 对一共射极(CE)npn 电晶体放大电路而言,若保持该电晶体在线性区(liner 或 active regin)内工作,则 (A)操作点 (Q-point)的基极电流愈大,集极与射极间的有效小讯号电阻愈大 (B)操作点的基极电流愈大,集极与射极间的操作 电压愈大(其余元件值不变) (C)换一个共射极顺向电流增益 β (或 h fe )较大的 npn 电晶体来用,若其他参数不变,则集
极与射极间的操作电压变小 (D)以上皆非 (E)以上皆是. ( B ) 15. 最基本的电流镜(current mirror)电路包括 (A)两个电阻和一个 BJT (B)两个 BJT 和一个电阻 (C)两个 BJT 接成两个二极体 上皆非.
(D)一个 BJT 和一个电阻
(E)以
( C ) 16. 以音频功率放大器而言,正弦信号输入时,B 类的集极电路最高效率约为 A 类的 (A)0.5 倍 (B)2 倍 (C)3 倍 倍 (E)5 倍. ~1~ ( B ) 17. 为避免交越(crossover)失真,AB 类音频功率放大器(2 BJT 互补射极耦合)的二基极之间常维持 (A)0.51Volt (B)1.1Volt (C)2Volt (D)3Volt (E)4Volt. ( C ) 18. 下列元件中,哪一种元件无负电阻性: (A)矽控整流器(SCR) (B)单接面电晶体(UJT) (C)稽纳二极体 (D)隧道二极体 (E)以上皆有负电阻性. ( C ) 19. LED 所发出光的颜色与 (A)外加电压有关 (B)外加电压的频率有关 (C)二极体的材料合成成分有关 (D)通过电流大小有关 (E)以上皆非. ( E ) 20. 由下列之叙述选择正确之答案: (A)P-channel JFET 接较高电压之节点为汲极(Drain) (B) VGS = VP 时之源-汲极间崩溃电压( BVDS )较 VGS = 0V 时的值为高 (C)通道厚度愈窄,则夹止电压(pinchoff voltage)愈大 (D)室温附近,温度愈高,汲极电流愈大 (E)若夹止(pinchoff)只发生在汲极端,则汲极电流 I D 开始饱和.

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